处理中...

首页  >  产品百科  >  FDMA410NZ

FDMA410NZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=20 V, 9.5 A, MicroFET 2 x 2封装, 表面贴装, 6引脚
供应商型号: FL-FDMA410NZ
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMA410NZ

FDMA410NZ概述


    产品简介


    FDMA410NZ 单N通道1.5 V 指定PowerTrench® MOSFET
    FDMA410NZ 是一款单N通道1.5 V 指定的PowerTrench® 功率MOSFET,适用于多种电子应用。这种MOSFET采用Fairchild Semiconductor的先进Power Trench工艺制造,优化了栅源导通电阻(rDS(on)),并采用微型封装(MicroFET)。
    应用领域:
    - 锂离子电池组
    - 基带开关
    - 负载开关
    - 直流到直流转换

    技术参数


    基本参数:
    - 最大漏极-源极电压 (VDS): 20 V
    - 最大栅极-源极电压 (VGS): ±8 V
    - 最大漏极电流 (ID): 9.5 A
    - 最大功率耗散 (PD): 2.4 W (在 TA = 25°C 下)
    电阻特性:
    - 最小栅源导通电阻 (rDS(on)):
    - VGS = 4.5 V, ID = 9.5 A 时为 17 mΩ
    - VGS = 2.5 V, ID = 8.0 A 时为 20 mΩ
    - VGS = 1.8 V, ID = 4.0 A 时为 24 mΩ
    - VGS = 1.5 V, ID = 2.0 A 时为 29 mΩ
    电气特性:
    - 突发脉冲功率耗散 (PD): 24 W (在 TA = 25°C 下)
    - 门限电压 (VGS(th)): 0.4 V 至 1.0 V
    - 静态漏极-源极导通电阻 (rDS(on)) 温度系数: -3 mV/°C
    其他特性:
    - 人体模型 (HBM) ESD保护水平 > 2.5 kV
    - 微型封装尺寸: 2x2 mm
    - 符合RoHS标准

    产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 低栅源导通电阻 (rDS(on)):在不同的电压和电流条件下,表现出优异的导电性能。
    - 小型化设计:采用MicroFET 2x2 mm封装,高度仅0.8 mm,适合空间受限的应用。
    - 高可靠性:HBM ESD保护水平 > 2.5 kV,确保设备在极端条件下的稳定性。
    - 无卤素和氧化锑材料,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 锂离子电池组:作为电池保护电路的一部分,可以有效控制电池充放电过程中的电流。
    - 基带开关:在通信系统中用于快速切换不同的信号路径。
    - 负载开关:用于开关电源,以调节输出电压。
    使用建议:
    - 在高频应用中,需要考虑寄生电容的影响,选择合适的门极驱动电阻。
    - 对于高电流应用,需注意散热设计,避免过热影响性能。
    - 确保良好的接地设计,以减少噪声干扰。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - FDMA410NZ 可以与其他标准的N通道MOSFET兼容,方便替换和升级现有电路。
    支持信息:
    - 用户可通过ON Semiconductor官网获取最新的产品信息和技术支持。
    - 任何关于系统集成的问题可发送至 Fairchildquestions@onsemi.com。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题1: MOSFET发热严重
    - 解决方案: 检查电路设计和散热措施,增加散热片或风扇。
    - 问题2: MOSFET不导通
    - 解决方案: 检查栅极驱动电压是否足够高,检查连接线路是否完好。
    - 问题3: MOSFET损坏
    - 解决方案: 检查是否超出了最大额定值,如过压或过流。

    总结和推荐


    综合评估:
    FDMA410NZ MOSFET是一款高性能、小型化的电子元器件,特别适用于锂离子电池组、基带开关、负载开关和直流到直流转换等多种应用。其优异的导电性能、小型化设计以及可靠的ESD保护能力使其在市场上具备显著的竞争优势。
    推荐使用:
    对于需要高效、可靠且小型化解决方案的应用场合,FDMA410NZ MOSFET是一个非常理想的选择。它不仅在实际应用中表现优秀,而且得到了广泛的行业认可和支持。

FDMA410NZ参数

参数
配置 独立式quaddrain
最大功率耗散 2.4W(Ta)
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@ 9.5A,4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.08nF@10V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 14nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 8V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Id-连续漏极电流 9.5A
长*宽*高 2mm*2mm*780μm
通用封装 MICROFET-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMA410NZ厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMA410NZ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMA410NZ FDMA410NZ数据手册

FDMA410NZ封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.2484 ¥ 2.1039
库存: 369517
起订量: 2399 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 2.1
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336