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FDMS86581-F085

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 50W(Tj) 20V 4V@ 250µA 19nC@ 10 V 1个N沟道 60V 15mΩ@ 30A,10V 30A 881pF@30V QFN 贴片安装 6mm*5mm*1.1mm
供应商型号: FL-FDMS86581-F085
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS86581-F085

FDMS86581-F085概述

    FDMS86581-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDMS86581-F085 是一款高性能的N沟道 PowerTrench® 功率MOSFET,适用于多种应用领域,如汽车引擎控制、动力总成管理、电磁阀和电机驱动、电子转向系统、集成启动器/发电机等。此外,它也可用于分布式电源架构和VRM(电压调节模块)及12V系统主开关。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压:60 V
    - 栅源电压:±20 V
    - 连续漏极电流(VGS=10):30 A
    - 单脉冲雪崩能量:13.5 mJ
    - 功耗:50 W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 热阻(结到外壳):3°C/W
    - 最大热阻(结到环境):50°C/W
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压:60 V
    - 漏源漏电流:1 μA(TJ = 25°C)
    - 栅源漏电流:±100 nA
    - 门限电压:2.0 V 至 4.0 V
    - 导通电阻:12.5 mΩ(VGS = 10V, ID = 30A, TJ = 25°C)
    - 输入电容:881 pF(VDS = 30V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容:281 pF
    - 反向传输电容:15 pF

    产品特点和优势


    FDMS86581-F085 具有以下显著优势:
    - 低导通电阻:典型值为 12.5 mΩ(VGS = 10V, ID = 30A),在高电流条件下具有优异的性能。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷典型值为 13 nC(VGS = 0至10V, ID = 25A),降低开关损耗。
    - 增强型安全操作区(SOA):具备高单脉冲雪崩能量,适合高可靠性应用。
    - RoHS合规:符合环保要求。
    - AEC-Q101认证:确保在恶劣环境下稳定运行,适用于汽车行业。

    应用案例和使用建议


    - 汽车引擎控制:因其高可靠性和低温升能力,适用于发动机管理系统中的负载驱动。
    - 电子转向系统:高功率密度和低损耗使其成为电机驱动的理想选择。
    - 功率总成管理:在高温和高压环境下仍能保持稳定的性能,适用于汽车动力系统。
    使用建议:
    - 确保散热设计良好,避免过热导致的性能下降。
    - 在高频率开关应用中,注意驱动电路的设计,以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准栅极驱动器和外围电路兼容,易于集成。
    - 支持:ON Semiconductor 提供全面的技术支持,包括应用笔记和技术咨询,帮助客户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备出现过热现象
    - 解决方案:检查散热片是否安装正确,确保良好的散热效果。如果需要,增加外部散热器。
    2. 问题:驱动电路失效
    - 解决方案:确认驱动电路的输出电压和电流满足MOSFET的需求。检查驱动电路的信号波形,确保无异常。
    3. 问题:器件损坏
    - 解决方案:验证输入电压和电流是否在额定范围内。如超限,应采取保护措施,如加入瞬态抑制二极管。

    总结和推荐


    综上所述,FDMS86581-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET凭借其低导通电阻、低栅极电荷和高可靠性,是众多应用领域的理想选择。特别适合于汽车、工业自动化等领域,能够提供高效的电力转换和可靠的性能。我们强烈推荐使用这款MOSFET,尤其是在要求高可靠性和高效性的应用中。

FDMS86581-F085参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@ 30A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 881pF@30V
Id-连续漏极电流 30A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 19nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 50W(Tj)
长*宽*高 6mm*5mm*1.1mm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

FDMS86581-F085厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS86581-F085数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS86581-F085 FDMS86581-F085数据手册

FDMS86581-F085封装设计

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