处理中...

首页  >  产品百科  >  NTMFS4C250NT1G

NTMFS4C250NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 770mW(Ta) 20V 2.1V@ 250µA 11.6nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 4mΩ@ 30A,10V 11A,69A 1.683nF@15V SO-FL-8 贴片安装
供应商型号: CY-NTMFS4C250NT1G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4C250NT1G

NTMFS4C250NT1G概述

    NTMFS4C250N MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NTMFS4C250N 是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用SO-8扁平引脚封装。这款MOSFET专为高效率设计,适用于CPU电源管理和DC-DC转换器等多种应用场合。它具备低导通电阻(RDS(on))和低电容特性,能够显著降低驱动和开关损耗,提升整体系统能效。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 30 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏电流(稳态) | ID | 20.0, 14.9| A |
    | 功率耗散(稳态) | PD | 2.55, 0.77| W |
    | 脉冲漏电流 | IDM | 200 | A |
    | 最大漏电流(稳态) | IDmax | 80 | A |
    | 硬件温度范围 | TJ, TSTG | -55至+150 | °C |
    | 导通电阻(典型值) | RDS(on) | 4.0, 6.0 | mΩ |
    | 门限电压 | VGS(TH) | 1.3至2.1 | V |
    | 输入电容 | CISS | 1683 | pF |
    | 输出电容 | COSS | 841 | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | 40 | pF |

    3. 产品特点和优势


    NTMFS4C250N 具有以下几个显著的特点和优势:
    - 低导通电阻:该MOSFET的导通电阻非常低,能够有效减少功率损耗,特别适用于需要高效能的应用场合。
    - 低电容特性:低输入和输出电容可以降低驱动损耗,提高系统的总体能效。
    - 优化的栅电荷:优化后的栅电荷特性有助于减少开关损耗,进一步提高效率。
    - 环保特性:该器件无铅,符合RoHS标准,适用于各种环保要求严格的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    NTMFS4C250N 广泛应用于多种场合,如CPU电源管理和DC-DC转换器。在这些应用中,该MOSFET的低损耗特性能够显著提升系统的能效。此外,由于其高可靠性和低功耗特性,它也可以用于工业自动化和汽车电子等领域。
    使用建议:
    - 在CPU电源管理应用中,确保适当的散热措施,以避免过热。
    - 对于高压应用,务必仔细考虑最大额定电压和电流限制。
    - 使用时应注意匹配合适的栅极电阻,以优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    NTMFS4C250N 具备良好的兼容性,可与其他标准MOSFET互换使用。制造商提供全面的技术支持,包括详细的文档、样片申请和技术咨询服务。建议用户在使用前详细阅读相关文档,并与技术支持团队保持沟通,以确保正确使用。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何处理设备过热?
    - 解决方案:确保适当的散热措施,例如使用散热片或风扇。在高负载情况下监测温度,并调整电路以避免过热。
    问题2:设备在高压应用中损坏怎么办?
    - 解决方案:检查电路设计,确保最大额定电压和电流限制没有被超过。使用适当的保护措施,如瞬态电压抑制器。

    7. 总结和推荐


    NTMFS4C250N 以其低导通电阻、低电容和优化的栅电荷特性,在多种应用场景中表现出色。其卓越的能效和可靠性使其成为CPU电源管理和DC-DC转换器的理想选择。因此,强烈推荐在需要高效率和可靠性的应用中使用这款MOSFET。
    该技术手册涵盖了NTMFS4C250N的主要技术参数、应用建议和支持细节,通过详细分析帮助用户更好地理解和使用这一高性能MOSFET。

NTMFS4C250NT1G参数

参数
栅极电荷 11.6nC@ 4.5 V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 30A,10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.683nF@15V
最大功率耗散 770mW(Ta)
通道数量 -
Id-连续漏极电流 11A,69A
通用封装 SO-FL-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NTMFS4C250NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4C250NT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS4C250NT1G NTMFS4C250NT1G数据手册

NTMFS4C250NT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.2307 ¥ 1.9861
1000+ $ 0.2243 ¥ 1.895
5000+ $ 0.2243 ¥ 1.895
库存: 50710
起订量: 504 增量: 1
交货地:
最小起订量为:500
合计: ¥ 993.05
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504