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FQA70N15

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 330W(Tc) 25V 4V@ 250µA 175nC@ 10 V 1个N沟道 150V 28mΩ@ 35A,10V 70A 5.4nF@25V TO-3PN 通孔安装
供应商型号: UA-FQA70N15
供应商: 海外现货
标准整包数: 450
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQA70N15

FQA70N15概述

    FQA70N15 N-Channel QFET® MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型: N-Channel QFET® MOSFET
    主要功能: 该产品是一种增强模式功率 MOSFET,采用Fairchild Semiconductor的平面条纹和DMOS技术制造。它特别适用于开关模式电源供应、音频放大器、直流电机控制及变频开关电源等应用。
    应用领域: 开关模式电源供应、音频放大器、直流电机控制、变频开关电源等。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDSS) | - | - | 150 | V |
    | 连续漏电流(ID)(25°C) | - | 70 | - | A |
    | 连续漏电流(100°C) | - | - | 50 | A |
    | 脉冲漏电流(IDM) | - | - | 280 | A |
    | 栅源电压(VGSS) | - | - | ±25 | V |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | - | - | 1000 | mJ |
    | 雪崩电流(IAR) | - | - | 70 | A |
    | 重复雪崩能量(EAR) | - | - | 33 | mJ |
    | 峰值二极管恢复dv/dt | - | - | 6.0 | V/ns |
    | 功耗(PD)(25°C) | - | - | 330 | W |
    | 热阻,结至外壳(RθJC) | - | - | 0.45 | °C/W |
    | 热阻,结至环境(RθJA) | - | - | 40 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    特点:
    - 极低的通态电阻(RDS(on)),典型值为28mΩ。
    - 低栅极电荷,典型值为135nC。
    - 低Crss,典型值为135pF。
    - 完全经过雪崩测试。
    优势:
    - 在高功率应用中表现出色,具有高可靠性。
    - 适用于各种复杂的工作环境,具有高热稳定性。
    - 适用于需要快速开关的应用,性能优越。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源中的高频逆变器。
    - 音频功放中用于音质提升。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热问题,以保持最佳性能。
    - 对于高频率应用,应注意避免dv/dt过快导致的损坏。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品具有较高的兼容性,能够适应多种电路设计。
    - 可与其他常用的电子元件配合使用,形成稳定的电路系统。
    支持:
    - ON Semiconductor提供详细的技术支持和售后服务。
    - 客户可以访问官方网站获取最新的技术文档和支持信息。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1: 设备在高电流下工作不稳定
    解决方案: 检查并确保电路中的电感和电容配置合理,避免dv/dt过高引起的问题。
    问题2: 设备过热
    解决方案: 检查散热系统是否有效,必要时增加散热片或使用更好的散热材料。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    FQA70N15是一款高性能的N-Channel QFET® MOSFET,具备出色的通态电阻、快速的开关速度以及优良的热稳定性。其在高功率应用中的表现尤为出色,能够在多种复杂环境中稳定工作。
    推荐:
    我们强烈推荐使用FQA70N15,尤其是在要求高可靠性和高性能的应用中。ON Semiconductor的优质服务和支持,也使其成为市场上最具竞争力的产品之一。

FQA70N15参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 25V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.4nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 35A,10V
最大功率耗散 330W(Tc)
栅极电荷 175nC@ 10 V
通道数量 1
配置 独立式
Id-连续漏极电流 70A
Vds-漏源极击穿电压 150V
16.2mm(Max)
5mm(Max)
23.8mm(Max)
通用封装 TO-3PN
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

FQA70N15厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQA70N15数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQA70N15 FQA70N15数据手册

FQA70N15封装设计

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