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NTA4151PT1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 301mW(Tj) 6V 1.2V@ 250µA 2.1nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 360mΩ@ 350mA,4.5V 760mA 156pF@5V SC-75,SOT-416 贴片安装 1.6mm*800μm*750μm
供应商型号: CY-NTA4151PT1
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTA4151PT1

NTA4151PT1概述

    NTA4151P/NTE4151P:单通道P沟道MOSFET技术概述

    产品简介


    NTA4151P/NTE4151P是安森美半导体推出的单通道P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),具有SC-75和SC-89两种封装形式。这种电子元器件主要用于高侧负载开关、直流到直流转换以及小型驱动电路,广泛应用于电池供电系统如手机、PDA、数码相机等设备中。它具有低导通电阻(RDS(on))的特性,能够提高效率并延长电池寿命。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):-20 V
    - 栅源电压(VGS):±6.0 V
    - 持续漏电流(稳态)(ID):-760 mA
    - 脉冲漏电流(IDM):±1000 mA(tp=10 μs)
    - 工作结温和存储温度(TJ, TSTG):-55°C 至 150°C
    - 铅焊温度(TL):260°C(1/8英寸远10秒)
    - 电气特性
    - 断开状态下的漏源击穿电压(V(BR)DSS):-20 V
    - 零栅源漏电流(IDSS):-1.0至-100 nA
    - 栅源漏电电流(IGSS):±1.0至±10 nA
    - 栅阈电压(VGS(TH)):-0.45 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.26 Ω @ -4.5 V, -760 mA;0.35 Ω @ -2.5 V, -300 mA;0.49 Ω @ -1.8 V, -150 mA
    - 前向传输电导(gFS):0.4 S
    - 热阻率
    - 结到环境的热阻率(RθJA):SC-75:415 °C/W;SC-89:400 °C/W

    产品特点和优势


    - 低RDS(on):这使得NTA4151P/NTE4151P在多种应用中表现出色,特别是在需要高效和长电池寿命的应用中。
    - 小型封装:1.6x1.6 mm的SC-75标准鸥翼式封装,非常适合空间受限的应用。
    - 静电保护栅:提高了可靠性,降低了损坏风险。
    - 无铅包装:符合环保要求,适用于各类绿色电子产品。

    应用案例和使用建议


    - 高侧负载开关:适用于需频繁切换的应用场景,例如电机控制。
    - 直流到直流转换:尤其适用于便携式设备的电源管理。
    - 小型驱动电路:适用于需要精确控制和高效率的场合。
    使用建议:在使用时,确保遵循手册中的最佳实践,如合理布线和选择合适的散热策略,以避免因过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    NTA4151P/NTE4151P可与各类常见的电子元器件和设备兼容,厂家提供详尽的技术支持和售后服务。具体支持信息可以参考官网和相关技术文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何进行正确的焊接?
    - 解决办法:严格按照手册中的焊接步骤操作,确保使用合适的焊接温度和时间。

    - 问题:如何防止静电损坏?
    - 解决办法:使用防静电工具和操作环境,在处理和安装过程中佩戴防静电手环。

    总结和推荐


    综上所述,NTA4151P/NTE4151P是一款高性能的小信号MOSFET,具备优良的电气特性和热性能。它特别适合用于需要低功耗和高效能的场合,尤其是在便携式电子设备领域。强烈推荐给需要高效且耐用电子元件的设计者和工程师们。

NTA4151PT1参数

参数
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 360mΩ@ 350mA,4.5V
最大功率耗散 301mW(Tj)
Vgs-栅源极电压 6V
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 760mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 156pF@5V
栅极电荷 2.1nC@ 4.5 V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250µA
长*宽*高 1.6mm*800μm*750μm
通用封装 SC-75,SOT-416
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NTA4151PT1厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTA4151PT1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTA4151PT1 NTA4151PT1数据手册

NTA4151PT1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ $ 0.0431 ¥ 0.3646
5000+ $ 0.0431 ¥ 0.3646
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