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NTTFS4939NTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 850mW(Ta),29.8W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 28nC@ 10 V 1个N沟道 30V 5.5mΩ@ 20A,10V 8.9A,52A 1.979nF@15V DFN 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: CY-NTTFS4939NTAG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTTFS4939NTAG

NTTFS4939NTAG概述

    NTTFS4939N MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    NTTFS4939N 是一款单片 N 沟道功率 MOSFET,具有卓越的低导通电阻(RDS(on))特性,适用于多种应用。这种器件采用 WDFN8 封装形式,提供高效率的开关功能,适用于低侧直流到直流转换器、电源负载开关、笔记本电脑电池管理和电机控制等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):30 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 持续漏极电流(ID):最高可达52 A
    - 瞬态漏极电流(IDM):170 A(10 µs 脉冲)
    - 功率耗散(PD):最高可达29.8 W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 驱动损失相关的栅极电荷(QG):12.4 nC(VGS = 4.5 V),28 nC(VGS = 10 V)
    - 电气特性
    - 导通电阻(RDS(on)):5.5 mΩ(VGS = 10 V,ID = 20 A),8.0 mΩ(VGS = 4.5 V,ID = 20 A)
    - 输入电容(Ciss):1979 pF(VGS = 0 V,f = 1.0 MHz,VDS = 15 V)
    - 输出电容(Coss):711 pF
    - 反向转移电容(Crss):20.2 pF
    - 转换电导(gFS):35 S(VDS = 1.5 V,ID = 15 A)
    - 开关特性
    - 开启延迟时间(td(on)):8.7 ns(VGS = 10 V,VDS = 15 V,ID = 15 A,RG = 3.0 Ω)
    - 关闭延迟时间(td(off)):25.3 ns
    - 上升时间(tr):19.5 ns
    - 下降时间(tf):3.2 ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:最小化导通损耗,提高能效。
    - 低电容:减少驱动器损耗,提升整体性能。
    - 优化的栅极电荷:降低开关损耗,增强系统效率。
    - 无铅、无卤素、无BFR:符合RoHS标准,环保可靠。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 低侧直流到直流转换器:适合需要高效转换的应用,如电源管理。
    - 电源负载开关:应用于各类电源系统的开关电路,提高稳定性和可靠性。
    - 笔记本电脑电池管理:确保电池供电系统的稳定运行。
    - 电机控制:为电机控制提供高效的开关解决方案。
    - 使用建议:
    - 在使用过程中,应避免超过最大额定值的参数,以确保长期可靠性和安全性。
    - 根据应用需求选择合适的栅极电阻(RG),优化开关性能。
    - 注意散热设计,尤其是在大电流条件下,以避免过热损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与大多数现代电子设备和系统兼容,易于集成。
    - 支持和维护:厂商提供详细的技术文档和支持服务,确保用户能够充分利用该器件的优势。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:高温下性能下降?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,如加装散热片或使用散热基板。

    - 问题:启动延迟时间长?
    - 解决方案:调整栅极电阻(RG),优化开关速度。
    - 问题:驱动信号不稳定?
    - 解决方案:检查电源线路的稳定性和驱动信号的质量,确保充足的驱动能力。

    7. 总结和推荐


    NTTFS4939N MOSFET 在低导通电阻、低电容和优化的栅极电荷方面表现出色,能够显著提升系统的能效和稳定性。其广泛的应用范围和出色的性价比使其成为许多应用的理想选择。我们强烈推荐使用该产品,特别是在需要高效能的直流到直流转换器和电机控制系统中。

NTTFS4939NTAG参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 850mW(Ta),29.8W(Tc)
栅极电荷 28nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 8.9A,52A
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ@ 20A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.979nF@15V
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NTTFS4939NTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTTFS4939NTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTTFS4939NTAG NTTFS4939NTAG数据手册

NTTFS4939NTAG封装设计

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