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NDB6060L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 100W(Tc) 16V 2V@ 250µA 60nC@ 5 V 1个N沟道 60V 20mΩ@ 24A,10V 48A 2nF@25V TO-263 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: CY-NDB6060L
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDB6060L

NDB6060L概述

    NDP6060L/NDB6060L MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NDP6060L/NDB6060L 是一款N通道增强型场效应晶体管(MOSFET),适用于低电压应用,如汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路。这款器件具备高速开关、低导通电阻及抵抗瞬态冲击的能力。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS):60V
    - 栅源电压(VDGR):±25V(RGS ≤ 1 MΩ)
    - 连续漏电流(ID):48A
    - 脉冲漏电流(ID):144A
    - 总功率耗散(PD):100W(25°C时),超过25°C按每摄氏度0.67W降额
    - 工作温度范围(TJ/TSTG):-65°C 至 175°C
    - 焊接最大引线温度(TL):275°C(1/8"从壳体处)
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(BVDSS):60V
    - 导通状态漏源电阻(RDS(ON)):0.025Ω(VGS=5V时),最大值为0.04Ω
    - 关断状态下漏源漏电流(IDSS):250μA(VDS=60V时)
    - 峰值栅极泄漏电流(IGSSF, IGSSR):±100nA
    - 转换电导(gFS):最小10S
    - 输入电容(Ciss):最大2000pF
    - 输出电容(Coss):最大800pF
    - 反向转移电容(Crss):最大400pF
    - 开关延迟时间(tD(on)):最大30ns
    - 关闭延迟时间(tD(off)):最大100ns

    3. 产品特点和优势


    - 低驱动要求: 允许直接从逻辑驱动器操作。
    - 高密度单元设计: 极低的RDS(ON)。
    - 鲁棒性: 内部源-漏二极管可以消除对外部瞬态抑制二极管的需求。
    - 最高结温等级: 175°C。
    - 封装多样性: 支持通过孔(TO-220)和表面贴装(TO-263)两种方式。
    - 环保: 无铅且符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 汽车电子、DC/DC转换器、PWM电机控制、电池供电电路等。
    - 使用建议: 在高速开关应用中使用时,需要关注散热问题。在高温环境中使用时,确保良好的热管理以避免过热导致的可靠性问题。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: NDP6060L和NDB6060L可以与其他标准MOSFET一样,与其他电子元件无缝集成。
    - 支持: 该产品由ON Semiconductor提供技术支持,可访问官方网站获取详细的文档和支持资源。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的总漏电流(ID)。
    - 解决方案: 检查外部电路设计,确保电流限制适当。必要时更换更高额定电流的产品。

    - 问题2:高温下性能下降。
    - 解决方案: 使用适当的散热措施,如散热片或风扇,确保MOSFET的工作温度不超过175°C。

    7. 总结和推荐


    总结: NDP6060L/NDB6060L MOSFET 以其低驱动要求、高密度设计、鲁棒性和环保特性,成为低电压应用的理想选择。它在汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制等领域具有显著的应用优势。其可靠的性能和广泛的适用性使得它在市场上具有很强的竞争优势。

    推荐: 强烈推荐该产品用于对可靠性要求较高且需要高速开关能力的场合。如果您正在寻找一种能高效运行并具有优良耐久性的低电压MOSFET,NDP6060L/NDB6060L是您的理想选择。

NDB6060L参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 24A,10V
Vgs-栅源极电压 16V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 60nC@ 5 V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 100W(Tc)
通道数量 1
Id-连续漏极电流 48A
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NDB6060L厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDB6060L数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NDB6060L NDB6060L数据手册

NDB6060L封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 1.0243 ¥ 8.8137
300+ $ 1.0149 ¥ 8.7343
500+ $ 1.0055 ¥ 8.6549
1000+ $ 0.9773 ¥ 8.2579
5000+ $ 0.9773 ¥ 8.2579
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