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FDD5680

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.8W(Ta),60W(Tc) 20V 4V@ 250µA 46nC@ 10 V 1个N沟道 60V 21mΩ@ 8.5A,10V 8.5A 1.835nF@30V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: CY-FDD5680
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD5680

FDD5680概述

    电子元器件产品技术手册:FDD5680 N-Channel MOSFET

    产品简介


    FDD5680 是一款N沟道MOSFET,采用ON Semiconductor的先进PowerTrench工艺制造。这款MOSFET旨在通过最小化导通电阻(RDS(on))来实现卓越的开关性能,同时保持较低的栅极电荷。
    应用领域
    - 直流/直流转换器(DC/DC Converter)
    - 电机驱动

    技术参数


    以下是FDD5680的主要技术规格:
    - 最大漏源电压(VDSS): 60V
    - 最大栅源电压(VGSS): ±20V
    - 最大连续漏极电流(ID): 38A
    - 最大脉冲漏极电流(ID): 100A
    - 最大功耗(PD): 60W(@ TC = 25°C),2.8W(@ TA = 25°C),1.3W(@ TA = 25°C)
    - 热阻(RθJC): 2.1°C/W(栅极到壳体)
    - 热阻(RθJA): 96°C/W(栅极到环境)
    - 单脉冲雪崩能量(WDSS): 140mJ
    - 输入电容(Ciss): 1835pF
    - 输出电容(Coss): 210pF
    - 反向传输电容(Crss): 90pF
    - 导通延迟时间(td(on)): 15ns
    - 关断延迟时间(td(off)): 35ns
    - 总栅极电荷(Qg): 33nC
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10V, ID = 8.5A: 0.021Ω
    - VGS = 6V, ID = 7.5A: 0.025Ω

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:在10V栅极电压下的典型导通电阻仅为0.021Ω,在6V栅极电压下的典型导通电阻为0.025Ω。
    - 低栅极电荷:典型值为33nC,有助于提高开关速度。
    - 快速开关速度:开关延迟时间和关断延迟时间分别为15ns和35ns。
    - 高可靠性的沟槽技术:能够提供极低的导通电阻,同时确保长期可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直流/直流转换器:适用于需要高效功率转换的应用场景,例如电源管理。
    - 电机驱动:适用于需要精确控制的电机驱动系统,如工业自动化设备。
    使用建议
    - 散热设计:由于FDD5680具有较高的热阻,建议在使用时采用适当的散热措施,如使用散热片或风扇。
    - 驱动电路设计:为了充分发挥其快速开关特性,驱动电路设计应考虑减小寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDD5680可以与其他标准N沟道MOSFET驱动电路兼容。
    - 支持和维护:ON Semiconductor提供全面的技术支持,包括文档、在线资源和技术咨询。此外,可以通过电话或电子邮件联系技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过高的工作温度导致性能下降。
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或使用强制风冷。
    - 问题:无法达到预期的开关速度。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保驱动电压和电流足够,并减少外部寄生电感和电容的影响。
    - 问题:导通电阻异常高。
    - 解决方案:检查栅极驱动信号是否符合要求,确保正确的栅极电压。

    总结和推荐



    总结


    FDD5680是一款高性能的N沟道MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷和快速开关速度的特点。它的应用范围广泛,特别适合于直流/直流转换器和电机驱动等需要高效能和可靠性的场合。
    推荐
    鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐使用FDD5680作为关键的电子元器件。在进行应用时,建议充分考虑散热和驱动电路设计,以确保其最佳性能。

FDD5680参数

参数
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.835nF@30V
Id-连续漏极电流 8.5A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 21mΩ@ 8.5A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 46nC@ 10 V
最大功率耗散 2.8W(Ta),60W(Tc)
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDD5680厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD5680数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDD5680 FDD5680数据手册

FDD5680封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.4621 ¥ 3.9763
300+ $ 0.4579 ¥ 3.9405
500+ $ 0.4536 ¥ 3.9047
1000+ $ 0.4409 ¥ 3.7255
5000+ $ 0.4409 ¥ 3.7255
库存: 4840
起订量: 252 增量: 1
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最小起订量为:100
合计: ¥ 397.63
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