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FDMC007N08LCDC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 22 A, PQFN8封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 1784558
供应商: 海外现货
标准整包数: 10
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMC007N08LCDC

FDMC007N08LCDC概述

    FDMC007N08LCDC MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDMC007N08LCDC 是一款由 ON Semiconductor 使用先进 PowerTrench 工艺制造的 N 沟道屏蔽栅 MOSFET。该产品采用独特的 Shielded Gate 技术,旨在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能,并提供一流的软体二极管特性。该器件广泛应用于直流-直流转换器、同步整流、电机驱动及太阳能系统等领域。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 80 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏电流 (ID):
    - TC = 25°C: 64 A
    - TC = 100°C: 41 A
    - TA = 25°C: 15 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 150 mJ
    - 功耗 (PD):
    - TC = 25°C: 57 W
    - TA = 25°C: 3 W
    - 工作和存储温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 22 A: 6.8 mΩ
    - VGS = 4.5 V, ID = 18 A: 11.1 mΩ
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): VDS = 64 V, VGS = 0 V: 1 μA
    - 栅源漏电流 (IGSS): VGS = ±20 V, VDS = 0 V: ±100 nA
    - 转导电导率 (gFS): VDS = 5 V, ID = 22 A: 80 S
    - 输入电容 (Ciss): VDS = 40 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz: 2195 pF
    - 热特性
    - 结壳热阻 (RJC): 2.2°C/W
    - 结点到环境热阻 (RJA):
    - 42°C/W (当安装在 1 in² 的 2 盎司铜箔上)
    - 105°C/W (当安装在最小的 2 盎司铜箔上)

    产品特点和优势


    - Shielded Gate 技术: 该技术可显著降低导通电阻,同时保持出色的开关性能和软体二极管特性。
    - 低 Qrr: 比其他 MOSFET 供应商低 50%,有助于降低开关噪声和电磁干扰。
    - MSL1 封装设计: 具备更高的可靠性和稳健性。
    - 无铅、无卤素、RoHS 合规: 符合环保标准,适用于多种应用场景。

    应用案例和使用建议


    - 直流-直流转换器: 作为主控 MOSFET,用于提高转换效率。
    - 同步整流: 在直流-直流和交流-直流转换器中,减少功率损耗。
    - 电机驱动: 提高驱动效率和可靠性。
    - 太阳能系统: 优化能量转换过程,提高系统整体性能。
    使用建议:
    - 确保在高温环境下使用时,适当增加散热措施以维持良好的性能。
    - 选择合适的 PCB 布局和散热器,以满足热管理需求。
    - 为避免过压损坏,合理设置驱动电压和电流限制。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件与现有的电路板设计高度兼容,支持多种应用场景。
    - 支持: ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和应用指南,确保用户能够轻松集成和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现异常噪声。
    - 解决方案: 检查 PCB 设计,确保合理的布局和走线,以减少电磁干扰。
    - 问题: 过高的漏电流导致系统不稳定。
    - 解决方案: 重新校准驱动电压和电流限制,确保在安全范围内运行。

    总结和推荐


    FDMC007N08LCDC MOSFET 以其出色的导通电阻、低开关噪声和优越的可靠性,成为多种应用的理想选择。其独特的 Shielded Gate 技术和优秀的电气特性使其在市场上具有强大的竞争力。我们强烈推荐此产品给需要高效、可靠的直流-直流转换器和同步整流解决方案的应用工程师。

FDMC007N08LCDC参数

参数
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 6.8mΩ@ 22A,10V
最大功率耗散 57W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 80V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.07nF@40V
Id-连续漏极电流 64A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 130µA
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 44nC@ 10 V
长*宽*高 3.4mm(长度)
通用封装 PQFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMC007N08LCDC厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMC007N08LCDC数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMC007N08LCDC FDMC007N08LCDC数据手册

FDMC007N08LCDC封装设计

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