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NTMFS5C410NLT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),139W(Tc) 20V 2V@ 250µA 143nC@ 10V 1个N沟道 40V 900μΩ@ 50A,10V 46A,302A 8.862nF@25V DFN 贴片安装
供应商型号: 488-NTMFS5C410NLT3GCT-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS5C410NLT3G

NTMFS5C410NLT3G概述

    MOSFET – Power, Single, N-Channel NTMFS5C410NL 技术手册概述

    产品简介


    NTMFS5C410NL 是一款单通道N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要应用于需要高效能、低损耗的电力电子系统,如电源转换、电机驱动和通信设备等。

    技术参数


    以下是 NTMFS5C410NL 的关键技术和性能参数:
    - 额定电压:VDSS = 40 V
    - 栅源电压范围:VGS = ±20 V
    - 连续漏极电流:
    - TC = 25°C: ID = 330 A
    - TC = 100°C: ID = 230 A
    - 功率耗散:
    - TC = 25°C: PD = 139 W
    - TC = 100°C: PD = 56 W
    - 脉冲漏极电流:TA = 25°C, tp = 10 μs IDM = 900 A
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C 至 +175°C
    - 反向恢复时间:tRR = 79.5 ns
    - 总栅电荷:
    - VGS = 4.5 V, VDS = 20 V: QG(TOT) = 66 nC
    - VGS = 10 V, VDS = 20 V: QG(TOT) = 143 nC
    - 热阻:
    - 结到外壳:RJC = 0.9 °C/W
    - 结到环境:RJA = 39 °C/W

    产品特点和优势


    - 紧凑设计:小尺寸(5x6 mm),适合高密度电路板布局。
    - 低导通电阻:最小化导通损耗,RDS(on) = 0.82 mΩ @ 10 V,确保高效的能量转换。
    - 快速开关性能:低QG和栅极电容,减少驱动损耗,适用于高频应用。
    - 环保材料:无铅、无卤素、BFR-free且符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    NTMFS5C410NL 在许多电力电子应用中表现出色,例如:
    - 电源转换:可作为降压或升压转换器的关键组件,提供高效率和可靠性。
    - 电机驱动:适用于电机控制和驱动电路,保证电机运行平稳和高效。
    - 通信设备:为通信基础设施提供稳定的电源供应,降低能耗。
    使用建议:
    - 确保散热良好,避免过热导致的损坏。
    - 注意负载条件下的最大电流限制,合理选择驱动器和外围元件以匹配MOSFET的性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTMFS5C410NL 可与其他常见的电子元件和电路板设计兼容。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持,包括详细的封装和安装指南,可以通过其官网获得。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:温度过高导致性能下降。
    - 解决办法:增加散热措施,如使用散热片或强制冷却。
    - 问题2:启动延迟。
    - 解决办法:适当调整驱动信号的频率和幅度,优化门极电阻值。
    - 问题3:过高的漏电流。
    - 解决办法:检查电路设计,确保各部件正确连接并避免不必要的电压变化。

    总结和推荐


    NTMFS5C410NL 在电力电子领域表现卓越,具备低导通电阻、紧凑尺寸和环保材料等显著优点,适用于各种高要求的应用场景。强烈推荐用于需高性能、低功耗的设计中。ON Semiconductor 提供全面的技术支持和文档资源,使得其易于集成到现有和新的项目中。

NTMFS5C410NLT3G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 46A,302A
最大功率耗散 3.2W(Ta),139W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.862nF@25V
栅极电荷 143nC@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 900μΩ@ 50A,10V
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS5C410NLT3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS5C410NLT3G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C410NLT3G NTMFS5C410NLT3G数据手册

NTMFS5C410NLT3G封装设计

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