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FDT1600N10ALZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=100 V, 5.6 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: UA-FDT1600N10ALZ
供应商: 海外现货
标准整包数: 4000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDT1600N10ALZ

FDT1600N10ALZ概述


    产品简介


    FDT1600N10ALZ — N-Channel PowerTrench® MOSFET
    FDT1600N10ALZ 是一款由 Fairchild Semiconductor 生产的N通道功率MOSFET,采用了先进的PowerTrench®工艺,旨在最小化导通电阻并保持卓越的开关性能。此款MOSFET具有多种应用场景,包括消费电子产品、LED电视和显示器、同步整流、不间断电源和微型太阳能逆变器等。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VDSS(漏源电压):100 V
    - VGSS(栅源电压):±20 V
    - 连续漏电流(TC = 25 °C):5.6 A
    - 连续漏电流(TC = 100 °C):3.5 A
    - 脉冲漏电流:11.2 A
    - 单脉冲雪崩能量:9.2 mJ
    - 峰值二极管恢复电压率:6.0 V/ns
    - 最大功率耗散(TC = 25 °C):10.42 W
    - 最高结温(TJ, TSTG):-55 °C 至 +150 °C
    - 最高引脚温度(TL):300 °C
    - 电气特性
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10 V,ID = 2.8 A时:121 mΩ (Typ.)
    - VGS = 5 V,ID = 1.8 A时:156 mΩ (Typ.)
    - 低栅极电荷(Qg(tot)):2.9 nC (Typ.)
    - 低反向转移电容(Crss):2.04 pF (Typ.)
    - 快速开关
    - 100% 雪崩测试通过
    - 增强的dv/dt能力
    - RoHS符合

    产品特点和优势


    FDT1600N10ALZ 具有以下独特功能和优势:
    - 低导通电阻,适用于需要高效能、低损耗的应用场景。
    - 低栅极电荷和反向转移电容,有助于提高开关速度和减少电磁干扰。
    - 快速开关能力和增强的dv/dt能力,使其适用于高频率应用。
    - 100% 雪崩测试通过,确保可靠性。
    - RoHS符合,环保且易于处理。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 消费电子产品:利用低导通电阻特性,适用于手机、平板电脑等便携式设备。
    - LED电视和显示器:高效的同步整流,提升整体系统效率。
    - 太阳能逆变器:低功耗和高可靠性,适合在复杂环境中使用。
    使用建议
    - 在使用时注意散热管理,避免长时间工作在高温下导致性能下降。
    - 注意栅极驱动信号的设计,以充分利用其快速开关特性。

    兼容性和支持


    FDT1600N10ALZ 的封装为SOT-223,适用于多种电路板设计。对于其他电子元器件或设备的兼容性,需参考具体的应用场景。ON Semiconductor 提供的技术支持和维护信息可通过其官方网站获取。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过热问题:如何有效散热?
    - 解决方案:使用合适的散热片或散热器,并确保良好的空气流通。
    2. 开关速度慢:如何提高开关速度?
    - 解决方案:检查栅极驱动电路设计,确保栅极电荷低且驱动电压合适。
    3. 功率损耗大:如何降低功率损耗?
    - 解决方案:选择合适的电压和电流范围,减少不必要的工作状态。

    总结和推荐


    FDT1600N10ALZ 在多个应用领域表现出色,尤其适合需要高效能和低损耗的场景。其低导通电阻、快速开关特性和高可靠性使其在市场上具有较强的竞争力。因此,我强烈推荐使用这款产品。

FDT1600N10ALZ参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 3.77nC@ 10 V
配置 独立式withbuilt-indiode
最大功率耗散 10.42W(Tc)
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5.6A
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ@ 2.8A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 225pF@50V
长*宽*高 6.5mm(长度)*3.5mm(宽度)
通用封装 SOT-223-4
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDT1600N10ALZ厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDT1600N10ALZ数据手册

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FDT1600N10ALZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
4000+ $ 0.3388 ¥ 2.8387
8000+ $ 0.3213 ¥ 2.6921
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