处理中...

首页  >  产品百科  >  NVTFWS014P04M8LTAG

NVTFWS014P04M8LTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),61W(Tc) 16V 2.4V@ 420µA 26.5nC@ 10 V 1个P沟道 40V 13.8mΩ@ 15A,10V 49A 1.734nF@20V DFN 贴片安装
供应商型号: NVTFWS014P04M8LTAG
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFWS014P04M8LTAG

NVTFWS014P04M8LTAG概述


    产品简介


    NVTFS014P04M8L是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的单通道P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET专为高密度设计和低功耗应用而设计,具有紧凑的小尺寸封装(3.3 x 3.3 mm),使其适用于各种现代电子产品。它特别适合于需要高效功率管理和小尺寸空间的应用,如电源管理、电池充电电路、负载开关和其他电力转换设备。

    技术参数


    - 额定电压:VDSS = -40 V
    - 连续漏极电流:ID = -49 A (TC = 25°C),-35 A (TC = 100°C)
    - 最大功率损耗:PD = 61 W (TC = 25°C),30 W (TC = 100°C)
    - 热阻抗:RJC = 2.5 °C/W,RJA = 47 °C/W
    - 脉冲漏极电流:IDM = 224 A (TA = 25°C, tp = 10 μs)
    - 存储和操作温度范围:TJ, Tstg = -55°C to +175°C
    - 零栅源泄漏电流:IGSS = ±100 nA
    - 栅源电荷:QGS = 5.6 nC,QGD = 3.8 nC
    - 通态电阻:RDS(on) = 13.8 mΩ (VGS = -10 V, ID = -15 A)

    产品特点和优势


    1. 紧凑的设计:采用小型封装(3.3 x 3.3 mm),非常适合于紧凑型设计需求。
    2. 低导通电阻:低至13.8 mΩ,可以显著减少传导损耗,提高能效。
    3. 低电容:降低驱动损耗,提高开关速度。
    4. 湿气敏感:具备湿气敏感等级,保证器件在焊接过程中的可靠性。
    5. AEC-Q101认证:符合汽车电子标准,适合用于汽车电子领域。
    6. 无铅、无卤素:环保材料,满足RoHS标准,对环境友好。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NVTFS014P04M8L广泛应用于多种电子系统中,特别是在电源管理和负载开关应用中表现出色。例如,在电池管理系统中,它可用于调节电池充电和放电过程中的电流控制,从而延长电池寿命并提高系统效率。
    使用建议
    - 散热管理:由于其较高的功率损耗能力,需要良好的散热管理以确保长期稳定运行。建议使用适当的散热片或散热器来保持低工作温度。
    - 栅极驱动:考虑使用合适的栅极驱动器来优化开关速度和降低损耗,尤其是在高频应用中。
    - 电源管理:在电源管理应用中,要注意确保漏极到源极的电压不超过40 V,并通过合适的栅源电压(-10 V)进行控制。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NVTFS014P04M8L与大多数标准的电源管理和负载开关电路兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持和服务:安森美提供全面的技术文档和支持服务,包括详细的电气特性和热特性数据,以及在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件在高温环境下运行时,漏电流增大。
    - 解决方案:确保良好的散热管理,并使用适当的散热器来维持较低的工作温度。
    2. 问题:器件在快速开关应用中出现过热。
    - 解决方案:选择合适的栅极驱动器以优化开关时间和频率,并确保电路设计具有足够的散热能力。
    3. 问题:器件在高压应用中表现不稳定。
    - 解决方案:检查和调整栅源电压,确保其在安全范围内,同时注意不要超过器件的最大额定电压。

    总结和推荐


    NVTFS014P04M8L凭借其紧凑的设计、低导通电阻和出色的电气特性,成为一款极具竞争力的产品。它的低电容特性使其非常适合高频应用,并且具备良好的热管理和环保特性。推荐用于需要高效功率管理和小尺寸封装的现代电子系统。无论是电源管理还是负载开关应用,NVTFS014P04M8L都能提供卓越的性能和可靠性,是设计师的不二选择。

NVTFWS014P04M8LTAG参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 13.8mΩ@ 15A,10V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 3.2W(Ta),61W(Tc)
栅极电荷 26.5nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.734nF@20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 420µA
Vgs-栅源极电压 16V
Id-连续漏极电流 49A
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFWS014P04M8LTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFWS014P04M8LTAG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFWS014P04M8LTAG NVTFWS014P04M8LTAG数据手册

NVTFWS014P04M8LTAG封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 6.456
10+ ¥ 4.13
100+ ¥ 3.7605
库存: 2251
起订量: 5 增量: 0
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 32.28
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336