处理中...

首页  >  产品百科  >  FQP2N80

FQP2N80

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 85W(Tc) 30V 5V@ 250µA 15nC@ 10 V 1个N沟道 800V 6.3Ω@ 1.2A,10V 2.4A 550pF@25V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: CY-FQP2N80
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQP2N80

FQP2N80概述


    产品简介


    FQP2N80 N-Channel QFET® MOSFET 是一款高电压、大电流的增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于多种电子设备,如开关电源、主动功率因数校正(PFC)电路及电子镇流器。该产品采用了Fairchild Semiconductor独特的平面条纹和DMOS技术,旨在减少导通电阻并提高开关性能和抗雪崩能力。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): 800 V
    - 连续漏极电流 (ID): 2.4 A (25°C),1.52 A (100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 9.6 A
    - 栅源电压 (VGSS): ±30 V
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS): 180 mJ
    - 功率耗散 (PD): 85 W (25°C),超过25°C时以0.68 W/°C降额
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)): 最大6.3 Ω (10 V, 1.2 A)
    - 输入电容 (Ciss): 425-550 pF
    - 输出电容 (Coss): 45-60 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 5.5-7.0 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 12-15 nC

    产品特点和优势


    FQP2N80的主要特点是低导通电阻和优越的开关性能。具体来说,它具有6.3 Ω的最大导通电阻,适合处理高达800 V的电压和2.4 A的电流。此外,它的低栅极电荷仅为12 nC,有助于降低驱动能耗。这些特性使其特别适用于高压高功率的应用场合。

    应用案例和使用建议


    FQP2N80在许多应用场景中表现出色。例如,在开关电源中,它能够高效地转换电能;在电子镇流器中,可以用于驱动灯泡并提高效率。为了最大化其性能,建议遵循以下使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意降额功率;
    - 确保栅极驱动电路设计合理,以避免过高的dv/dt导致的栅极损坏;
    - 适当选择外部散热器,以确保良好的热管理。

    兼容性和支持


    FQP2N80与标准的TO-220封装兼容,便于集成到现有的电路板设计中。ON Semiconductor提供了广泛的技术文档和支持资源,包括详尽的数据手册和应用指南,以帮助工程师解决使用过程中可能遇到的问题。此外,ON Semiconductor还提供售后支持服务,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题:温度过高导致MOSFET过早失效。
    - 解决方法:增加散热片面积,或采用更高效的散热策略,如强制风冷。
    - 问题:dv/dt过高导致驱动问题。
    - 解决方法:优化栅极驱动电路,减小驱动信号的dv/dt。
    - 问题:栅极电压不稳定。
    - 解决方法:增加旁路电容,改善电源稳定性和噪声抑制。

    总结和推荐


    总体而言,FQP2N80是一款高性能的N-Channel QFET® MOSFET,具有出色的开关特性和可靠的性能。它的低导通电阻和高雪崩能量使它在各种高电压、高功率的应用中表现出色。鉴于其优越的性能和全面的支持体系,我强烈推荐这款产品给需要高性能MOSFET的应用工程师。

FQP2N80参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 15nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 6.3Ω@ 1.2A,10V
Id-连续漏极电流 2.4A
通道数量 1
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 85W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 800V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 550pF@25V
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

FQP2N80厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQP2N80数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQP2N80 FQP2N80数据手册

FQP2N80封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.5804 ¥ 4.9941
300+ $ 0.575 ¥ 4.9491
500+ $ 0.5697 ¥ 4.9041
1000+ $ 0.5537 ¥ 4.6791
5000+ $ 0.5537 ¥ 4.6791
库存: 523
起订量: 201 增量: 1
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 499.41
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336