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FDMS8560S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta),65W(Tc) 12V 2.2V@1mA 68nC@ 10 V 1个N沟道 25V 1.8mΩ@ 30A,10V 30A,70A 4.35nF@13V QFN 贴片安装 6mm*5mm*1.1mm
供应商型号: CY-FDMS8560S
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS8560S

FDMS8560S概述

    FDMS8560S N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 技术手册

    产品简介


    FDMS8560S 是一款高性能的 N-Channel PowerTrench® 同步FET(同步场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor公司(现为ON Semiconductor的一部分)生产。它采用了先进的PowerTrench®工艺技术,能够提供极低的导通电阻(rDS(on)),并具有高开关性能。该产品广泛应用于同步整流电路,如DC/DC转换器、电信系统的二次侧整流以及高端服务器和工作站的电源管理中。

    技术参数


    - 最大击穿电压 (BVDSS):25 V
    - 最大漏极电流 (ID):
    - 持续电流(按封装限制):70 A
    - 连续电流(Ta=25°C):30 A
    - 脉冲电流:150 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):79 mJ
    - 最大漏极功率 (PD):
    - Ta=25°C:65 W
    - 连续功率(Ta=25°C):2.5 W
    - 工作和存储温度范围 (TJ, TSTG):-55°C 至 +150°C
    - 热阻 (RθJC):1.9°C/W
    - 热阻 (RθJA):50°C/W
    - 最大栅极至源极电压 (VGS):12 V
    - 典型导通电阻 (rDS(on)):
    - VGS=10 V, ID=30 A 时:1.8 mΩ
    - VGS=4.5 V, ID=28 A 时:2.1 mΩ

    产品特点和优势


    FDMS8560S 具有多项显著的技术特点:
    - 极低的导通电阻,最大值仅为1.8 mΩ(在VGS=10V,ID=30A条件下)
    - 采用同步FET结构,集成高效的肖特基体二极管
    - 热阻设计优异,保证了良好的散热性能
    - 符合RoHS标准,环保可靠
    - 适用于各种严格的工业和商业应用环境

    应用案例和使用建议


    FDMS8560S 在多种场合中表现出色:
    - 电信设备的二次侧整流:利用其低导通电阻和高速开关性能,可以显著提升效率。
    - 服务器和工作站的Vcore电源管理:确保稳定而高效的电源供给,提升系统性能。
    - DC/DC转换器的同步整流:减少损耗,提高能效。
    使用建议:
    - 选择合适的散热设计:考虑到热阻和最大功率要求,合理规划散热片和通风通道。
    - 注意工作温度范围:在极端环境下工作时,注意调整工作温度以确保可靠性。
    - 优化电路布局:为了减少杂散电感和寄生效应,优化电路板布局。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDMS8560S 可与其他标准封装和电气参数相匹配的器件兼容。
    - 支持和维护:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持,用户可通过技术支持热线获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q:设备过热怎么办?
    - A:检查散热系统的设计是否符合要求,增加散热片或改进通风条件。
    - Q:如何防止过压损坏?
    - A:确保负载电流不超过额定值,使用合适的瞬态电压抑制装置。
    - Q:设备无法正常启动怎么办?
    - A:检查接线是否正确,确认电源电压和电流参数。

    总结和推荐


    FDMS8560S N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 是一款高效可靠的功率晶体管,适合各种高要求的应用场景。其出色的性能指标和灵活的适用性使其成为市场上极具竞争力的产品。我们强烈推荐在需要高效、稳定电源管理的项目中使用FDMS8560S。

FDMS8560S参数

参数
Id-连续漏极电流 30A,70A
栅极电荷 68nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.35nF@13V
通道数量 2
Vds-漏源极击穿电压 25V
Vgs-栅源极电压 12V
配置
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@1mA
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.8mΩ@ 30A,10V
最大功率耗散 2.5W(Ta),65W(Tc)
长*宽*高 6mm*5mm*1.1mm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDMS8560S厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS8560S数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS8560S FDMS8560S数据手册

FDMS8560S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.5428 ¥ 4.6708
300+ $ 0.5378 ¥ 4.6287
500+ $ 0.5328 ¥ 4.5866
1000+ $ 0.5179 ¥ 4.3762
5000+ $ 0.5179 ¥ 4.3762
库存: 354
起订量: 215 增量: 1
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