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NDF04N60ZH

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 30W(Tc) 30V 4.5V@ 50µA 29nC@ 10 V 1个N沟道 600V 2Ω@ 2A,10V 4.8A 640pF@25V TO-220-2 通孔安装
供应商型号: CY-NDF04N60ZH
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDF04N60ZH

NDF04N60ZH概述


    产品简介


    NDF04N60Z 和 NDD04N60Z 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它们适用于多种高压电力转换应用。这些器件的主要功能包括低导通电阻、低栅极电荷、栅极静电二极管保护,以及能够承受单脉冲雪崩能量。产品广泛应用于开关电源、电机驱动、焊接设备以及其他需要高压和高电流控制的应用领域。

    技术参数


    - 电压规格:漏极到源极电压 (VDSS) 额定值为 600 V。
    - 连续漏极电流:RJC 下的额定值为 4.8 A (NDF),4.1 A (NDD);在 TA = 100°C 下分别为 3.0 A 和 2.6 A。
    - 脉冲漏极电流:VGS @ 10V 下的额定值为 20 A。
    - 热耗散:RJC 下的最大热耗散为 30 W (NDF),83 W (NDD)。
    - 栅极-源极电压:额定值为 ±30 V。
    - 单脉冲雪崩能量:在 ID = 4.0 A 时,额定值为 120 mJ。
    - ESD(人体模型):额定值为 3000 V。
    - 峰值反向恢复:漏极到源极为 4.5 V/ns,MOSFET 为 60 V/ns。
    - 最大温度范围:焊点最高温度 TL 为 260 °C,工作结温和存储温度范围为 -55 至 150 °C。

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on) 的典型值为 1.8 Ω,最大值为 2.0 Ω。
    - 低栅极电荷:Qg 的典型值为 19 nC。
    - ESD 保护:内置静电二极管保护栅极。
    - 高可靠性:100% 雪崩测试确保可靠性能。
    - 环保:无铅、无卤素、无 BFR,并符合 RoHS 规范。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NDF04N60Z 和 NDD04N60Z 广泛应用于各种高压应用,例如开关电源、电机驱动系统和焊接设备。这些 MOSFET 在大功率应用中表现出色,特别是在需要高效能和可靠性的情况下。
    使用建议
    1. 散热管理:为了确保最佳性能和延长使用寿命,务必考虑适当的散热设计。对于表面安装,建议使用至少 1 英寸² 的铜散热片。
    2. 电路布局:在电路设计中尽量减小栅极-源极路径和漏极-源极路径的寄生电感,以避免不必要的振荡。
    3. 输入输出电容配置:合理配置输入和输出电容可以优化开关性能和减少噪声干扰。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他标准封装和引脚配置的器件具有良好的兼容性,便于替代或集成现有电路。
    - 支持和服务:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档、应用程序指南和支持服务,用户可以通过技术支持热线获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确安装和焊接 MOSFET?
    - 解决方案:详细参考 ON Semiconductor 的《焊接和安装技术参考手册》(SOLDERRM/D)。确保遵循正确的焊接流程和温度限制,以防止损坏。
    2. 问题:在什么情况下会出现热耗散过高的情况?
    - 解决方案:当漏极电流超过额定值或散热设计不足时,可能会出现热耗散过高的问题。应检查电流和散热设计并进行调整。

    总结和推荐


    NDF04N60Z 和 NDD04N60Z 是性能优异的 N 沟道功率 MOSFET,具备低导通电阻、低栅极电荷和可靠的 ESD 保护。它们在高压电力转换应用中表现出色,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。建议在设计和应用过程中仔细考虑其技术参数和使用建议,确保充分发挥其优势。总体而言,这些产品是非常值得推荐的选择。

NDF04N60ZH参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4.8A
栅极电荷 29nC@ 10 V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 50µA
最大功率耗散 30W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 2A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 640pF@25V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
10.67mm(Max)
4.7mm(Max)
15.88mm(Max)
通用封装 TO-220-2
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

NDF04N60ZH厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDF04N60ZH数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NDF04N60ZH NDF04N60ZH数据手册

NDF04N60ZH封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.242 ¥ 2.0825
500+ $ 0.2397 ¥ 2.0635
1000+ $ 0.233 ¥ 1.9689
5000+ $ 0.233 ¥ 1.9689
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