处理中...

首页  >  产品百科  >  NVMFS6H836NLT1G

NVMFS6H836NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.7W(Ta),89W(Tc) 2V@ 95µA 34nC@ 10 V 1个N沟道 80V 6.2mΩ@ 15A,10V 1.95nF@40V 贴片安装
供应商型号: 488-NVMFS6H836NLT1GTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS6H836NLT1G

NVMFS6H836NLT1G概述

    MOSFET - Power, Single N-Channel NVMFS6H836NL

    产品简介


    NVMFS6H836NL是一款N沟道功率MOSFET,具有紧凑的5x6毫米封装设计。该产品主要用于电源管理和控制领域,如开关电源、电机驱动和照明系统等。NVMFS6H836NL以其小体积、低导通电阻和高可靠性而著称,在电力转换效率和热稳定性方面表现卓越。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 80V
    - 门源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 持续漏极电流 \( ID \)(\( R{\text{JC}} \)):
    - TC = 25°C: 77A
    - TC = 100°C: 55A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \)(\( R{\text{JC}} \)):
    - TA = 25°C, tp = 10μs: 449A
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55°C 至 +175°C
    - 电学特性:
    - 关断时漏源击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): 80V
    - 导通时门阈电压 \( V{GS(TH)} \): 1.2V 至 2.0V
    - 导通时源漏电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10V, ID = 15A \): 5.1mΩ 至 6.2mΩ
    - \( V{GS} = 4.5V, ID = 15A \): 6.2mΩ 至 7.8mΩ
    - 开启和关断延时时间 \( td(ON), td(OFF) \): 分别为40ns和26ns
    - 充电和放电时间 \( tr, tf \): 125ns和8ns
    - 反向恢复时间和电荷 \( t{RR}, Q{RR} \): 42ns和45nC

    产品特点和优势


    1. 紧凑封装:采用5x6mm的小型封装设计,适合紧凑设计的应用。
    2. 低导通电阻:\( R{DS(on)} \)仅为6.2mΩ@10V,有效减少导通损耗。
    3. 低驱动损耗:低输入电容、输出电容和反向转移电容,减少驱动损耗。
    4. 湿包选项:提供增强光学检查的湿包选项。
    5. 认证资格:通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。
    6. 环保材料:无铅、卤素自由且符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:NVMFS6H836NL适用于开关电源、电机驱动器和照明控制系统。
    - 使用建议:
    - 确保电路设计时考虑热管理,特别是在高功率密度应用中。
    - 选择合适的门极驱动器以匹配其快速开关特性,确保最小化开关损耗。
    - 高温环境下的应用应注意热应力的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NVMFS6H836NL可与其他主流电子元器件兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持:ON Semiconductor提供全面的技术文档和支持服务,涵盖产品选型、设计指导和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备过热?
    - 解决方法:确保合理的散热设计,例如加装散热片或风扇。
    2. 问题:门极驱动不理想?
    - 解决方法:检查门极驱动电压和电流是否在推荐范围内。
    3. 问题:设备损坏?
    - 解决方法:避免超过最大额定值的操作条件。

    总结和推荐


    总体来看,NVMFS6H836NL是一款高效能的N沟道功率MOSFET,适合需要高可靠性和低损耗的应用场景。它提供了优秀的电气特性和紧凑的封装,适用于广泛的电力转换和控制应用。强烈推荐使用该产品来提升系统的整体性能和可靠性。

NVMFS6H836NLT1G参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 95µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.95nF@40V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.7W(Ta),89W(Tc)
Id-连续漏极电流 -
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 34nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 6.2mΩ@ 15A,10V
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS6H836NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS6H836NLT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS6H836NLT1G NVMFS6H836NLT1G数据手册

NVMFS6H836NLT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1500+ $ 0.5626 ¥ 4.7079
3000+ $ 0.5249 ¥ 4.3927
库存: 1500
起订量: 1500 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1500
合计: ¥ 7061.85
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336