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NDC7001C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N/P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 340 mA,510 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 6引脚
供应商型号: 31M-NDC7001C
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDC7001C

NDC7001C概述

    # 双N与P通道增强型场效应晶体管 NDC7001C 技术手册

    1. 产品简介


    NDC7001C 是一款双N与P通道增强型场效应晶体管(FET),采用Fairchild的高密度DMOS技术制造。这种先进的工艺设计旨在最小化导通电阻(RDS(on)),提供坚固可靠的性能和快速开关能力。这款器件特别适合于低电压、低电流的开关及电源管理应用,例如便携式电子设备、电机驱动器以及电池管理系统等。
    主要功能:
    - 支持N通道与P通道同时操作
    - 极低的导通电阻(RDS(on))
    - 高饱和电流
    - 快速开关速度
    应用领域:
    - 电源管理电路
    - 驱动电路
    - 开关稳压器
    - 汽车电子系统

    2. 技术参数


    以下是NDC7001C的技术规格:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDSS(漏源电压) | -60 | -60 | -60 | V |
    | VGSS(栅源电压) | ±20 | ±20 | ±20 | V |
    | ID(连续漏极电流) | -0.34 | -0.34 | -0.34 | A |
    | PD(单器件功率耗散) | 0.9 | 0.9 | 0.9 | W |
    | TJ, TSTG(工作温度范围) | -55 150 | °C |
    | RθJA(热阻,结到环境) | 130 °C/W |
    | RθJC(热阻,结到外壳) | 60 °C/W |
    动态特性:
    | 参数名称 | 典型值 | 单位 |
    |
    | td(on)(导通延迟时间) | 2.8 | ns |
    | tr(上升时间) | 8 | ns |
    | td(off)(关断延迟时间) | 8 | ns |
    | tf(下降时间) | 4 | ns |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:典型值为1.7Ω,适用于高效率的应用场景。
    - 高性能封装:采用SuperSOT-6封装,具备卓越的热管理和电气性能。
    - 快速开关:优化后的寄生电容使得开关转换更快,响应时间更短。
    - 宽温范围:支持从-55°C到150°C的工作环境,适应各种严苛条件。
    - 强健可靠:高密度单元设计确保长期稳定性,降低故障率。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电源管理模块:NDC7001C可作为降压或升压转换器中的核心开关元件,用于提高能源利用率。
    2. 逆变器电路:利用其双通道特性实现桥式拓扑结构,减少外部元件数量。
    3. LED驱动电路:通过精确控制电流,延长LED寿命并提升亮度均匀性。
    使用建议:
    - 在高频应用中需注意布局设计以减小寄生效应。
    - 调整栅极驱动电阻,确保最佳的开关速度与功耗平衡。
    - 确保散热良好,特别是在满载情况下,避免过热保护机制触发。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NDC7001C可无缝集成至现有设计中,无需额外调整。
    - 技术支持:ON Semiconductor提供详尽的数据手册和技术文档,可通过官网获取。
    - 维护服务:公司承诺及时更新产品信息,客户可随时联系技术支持团队解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 确认VGS是否达到阈值电压;优化布线布局 |
    | 开关速度慢 | 调整栅极驱动电阻至适当范围 |
    | 工作温度超出限制 | 使用合适的散热片或改进PCB设计 |

    7. 总结和推荐


    NDC7001C凭借其出色的导通电阻、高效的开关性能及紧凑的封装形式,在众多应用场景中展现出强大的竞争力。对于需要高效率、低功耗的电路设计而言,这是一款值得信赖的选择。我们强烈推荐此产品给从事电源管理、汽车电子及消费电子领域的工程师们。
    如果您正在寻找一款能够在复杂环境中稳定工作的双通道场效应晶体管,那么NDC7001C无疑是一个理想之选!

NDC7001C参数

参数
FET类型 2N+2P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置
Id-连续漏极电流 510mA,340mA
栅极电荷 1.5nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 510mA,10V
通道数量 2
最大功率耗散 960mW
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 20pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
长*宽*高 2.9mm*1.6mm*1mm
通用封装 SOT-23-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NDC7001C厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDC7001C数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NDC7001C NDC7001C数据手册

NDC7001C封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.65
50+ ¥ 1.49
150+ ¥ 1.36
500+ ¥ 1.25
1000+ ¥ 1.12
3000+ ¥ 1.03
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