处理中...

首页  >  产品百科  >  NVMFS6H818NWFT1G

NVMFS6H818NWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8W(Ta),136W(Tc) 20V 4V@ 190µA 46nC@ 10 V 1个N沟道 80V 3.7mΩ@ 20A,10V 20A,123A 3.1nF@40V SO 贴片安装
供应商型号: 2835614
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS6H818NWFT1G

NVMFS6H818NWFT1G概述


    产品简介


    NVMFS6H818N – 功率单管N沟道MOSFET
    NVMFS6H818N是一款适用于多种应用场景的小型化功率单管N沟道MOSFET。该产品具有低导通电阻(RDS(on))、低驱动损耗以及优异的电气特性,适用于各种高效率的应用场合,如开关电源、电机驱动、新能源汽车及通信设备等。

    技术参数


    - 额定电压(VDSS): 80 V
    - 最大漏源电流(ID):
    - TC = 25°C 时:123 A
    - TC = 100°C 时:87 A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 900 A(持续时间10 μs)
    - 功率耗散(PD):
    - TC = 25°C 时:136 W
    - TC = 100°C 时:68 W
    - 热阻(RJC): 1.1°C/W
    - 热阻(RJA): 39°C/W
    - 栅源阈值电压(VGS(TH)): 2.0 V ~ 4.0 V
    - 导通电阻(RDS(on)): 3.7 mΩ@ 10 V(10 V下的典型值)
    - 输入电容(CISS): 3100 pF
    - 输出电容(COSS): 440 pF
    - 反向传输电容(CRSS): 20 pF
    - 总栅电荷(QG(TOT)): 46 nC
    - 额定温度范围: -55°C ~ +175°C

    产品特点和优势


    - 小封装(5x6 mm):节省电路板空间,便于紧凑设计。
    - 低RDS(on):显著减少导通损耗,提升整体能效。
    - 低QG和电容:减少驱动损耗,提高系统可靠性。
    - AEC-Q101认证:适用于汽车级应用,保证产品质量与可靠性。
    - 无铅且符合RoHS标准:绿色环保,符合国际环保标准。
    - 湿式边缘选项(NVMFS6H818NWF):增强光学检查,提高制造质量控制。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:利用其低导通电阻和低驱动损耗特性,可以实现高效、小型化的开关电源设计。
    - 电机驱动:适用于各种类型的电机驱动,提供高性能和长寿命。
    - 新能源汽车:可用于电动汽车的电力管理系统,确保高效能和安全性。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,需注意散热措施,确保设备正常运行。
    - 选择合适的驱动器以匹配其低栅电荷需求,从而减少能耗并提高效率。
    - 在高压环境中使用时,应特别注意保护措施,避免损坏器件。

    兼容性和支持


    - 兼容性:广泛兼容各类电源管理芯片及控制器,可应用于多种电子产品中。
    - 厂商支持:ON Semiconductor公司提供详细的技术文档、样品、技术支持和售后保障,确保客户能够顺利应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备在高温下运行时过热
    - 解决办法: 添加适当的散热装置,如散热片或散热风扇,确保设备稳定运行。
    - 问题2: 驱动过程中出现异常噪声
    - 解决办法: 检查驱动电路连接是否正确,确认驱动信号的频率和幅度合适。
    - 问题3: 设备无法正常关断
    - 解决办法: 确认栅极驱动电压和电流是否满足要求,调整驱动信号,确保关断时的VGS电压足够大。

    总结和推荐


    NVMFS6H818N是一款具有卓越性能的功率MOSFET,适合用于多种高效率应用场合。其低导通电阻、低驱动损耗和优良的电气特性使其成为电源管理领域的理想选择。此外,该产品通过AEC-Q101认证,适用于汽车和工业应用。因此,强烈推荐在需要高性能、可靠性的场合使用此产品。

NVMFS6H818NWFT1G参数

参数
Id-连续漏极电流 20A,123A
配置 独立式
栅极电荷 46nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.7mΩ@ 20A,10V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.1nF@40V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3.8W(Ta),136W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 190µA
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NVMFS6H818NWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS6H818NWFT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G数据手册

NVMFS6H818NWFT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 15.7918
10+ ¥ 13.6052
100+ ¥ 13.3623
500+ ¥ 13.3623
库存: 1366
起订量: 4 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 15.79
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504