处理中...

首页  >  产品百科  >  FDP4D5N10C

FDP4D5N10C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 128 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: FL-FDP4D5N10C
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDP4D5N10C

FDP4D5N10C概述

    FDP4D5N10C / FDPF4D5N10C N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET

    1. 产品简介


    FDP4D5N10C 和 FDPF4D5N10C 是由 ON Semiconductor 生产的 N-Channel 屏蔽栅功率 MOSFET,采用了先进的 PowerTrench® 工艺,集成了屏蔽栅技术。这类 MOSFET 主要用于直流到直流转换器、开关电源(PSU)、电机驱动器和不间断电源系统等应用场合。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):100V
    - 最大漏极电流 (ID):
    - 连续 (TC = 25°C):128A
    - 连续 (TC = 100°C):91A
    - 脉冲:512A
    - 反向恢复电荷 (Qrr):最低至 106nC
    - 最大导通电阻 (rDS(on)):4.5mΩ @ 10V VGS, 100A ID
    - 最高结温 (TJ):-55°C 至 +175°C
    - 热阻 (RθJC):1.0°C/W (FDP4D5N10C),4.0°C/W (FDPF4D5N10C)
    - 封装形式:TO-220 和 TO-220F
    - 包装方式:每管 50 个单位

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:最高导通电阻仅为 4.5mΩ @ 10V VGS, 100A ID,保证了高效率和低功耗。
    - 低反向恢复电荷:Qrr 最低至 106nC,这使得它们特别适合于需要高开关频率的应用。
    - 全检 (100% UIL 测试):确保产品质量和可靠性。
    - RoHS 合规:满足环保标准,适用于全球市场。

    4. 应用案例和使用建议


    - 同步整流:适用于 ATX、服务器和通信电源系统中的同步整流应用。
    - 电机驱动和 UPS:可用于电机驱动器和不间断电源系统中的开关控制。
    - 微型太阳能逆变器:作为太阳能发电系统的电力转换组件。
    使用建议:
    - 在使用时,建议进行适当的热管理以避免过热,特别是在高负载条件下。
    - 在启动和关断过程中,注意控制驱动信号以确保可靠的开关操作。
    - 对于高频应用,应注意寄生电容和电感的影响,以优化电路设计。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:这些 MOSFET 可与大多数常见的直流到直流转换器和开关电源系统兼容。
    - 支持:ON Semiconductor 提供了详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南和技术咨询,帮助用户更好地使用这些产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 高温环境下出现性能下降?
    - 解决办法: 检查散热片的设计是否足够大,并确保散热片表面清洁。可考虑使用散热风扇或散热片增大。

    - 问题: 开关过程噪声过大?
    - 解决办法: 优化 PCB 布局,缩短引脚长度,并添加适当的滤波电容以减少电磁干扰。

    7. 总结和推荐


    FDP4D5N10C 和 FDPF4D5N10C 是具有高效率、低损耗的高性能 MOSFET,非常适合多种应用场合。它们以其低导通电阻、高可靠性及环保特性在市场中具备显著竞争力。强烈推荐用于需要高效率和高可靠性的应用场合,例如同步整流、电机驱动和不间断电源系统等。
    通过以上分析可以看出,FDP4D5N10C 和 FDPF4D5N10C MOSFET 以其卓越的性能和广泛的应用范围成为市场上非常受欢迎的选择。无论是从技术规格还是实际应用的角度来看,都值得推荐给需要高效率、低功耗解决方案的用户。

FDP4D5N10C参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 310µA
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 68nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.065nF@50V
Id-连续漏极电流 128A
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@ 100A,10V
最大功率耗散 2.4W(Ta),150W(Tc)
配置 独立式
长*宽*高 10.36mm(长度)
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 最后售卖
包装方式 散装,管装

FDP4D5N10C厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDP4D5N10C数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDP4D5N10C FDP4D5N10C数据手册

FDP4D5N10C封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.6017 ¥ 21.8805
库存: 1514
起订量: 231 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 21.88
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336