处理中...

首页  >  产品百科  >  NVMFS5C612NLT1G

NVMFS5C612NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8W(Ta),167W(Tc) 20V 2V@ 250µA 91nC@ 10 V 1个N沟道 60V 1.5mΩ@ 50A,10V 36A,235A 6.66nF@25V SO 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: FL-NVMFS5C612NLT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C612NLT1G

NVMFS5C612NLT1G概述

    电子元器件技术手册:NVMFS5C612NL MOSFET

    1. 产品简介


    NVMFS5C612NL 是一款高性能的单N通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为电源管理应用设计。它具有小体积、低导通电阻(RDS(on))等特点,适用于各种紧凑型设计场合。此外,该产品符合AEC-Q101标准,具有PPAP(生产件批准程序)能力,适用于汽车和工业应用。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDSS): 60V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C: 250A
    - TC = 100°C: 175A
    - 功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C: 167W
    - TC = 100°C: 83W
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 900A (tp = 10μs)
    - 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
    - 雪崩能量 (EAS): 451mJ (IL(pk) = 17A)
    - 热阻抗 (RθJC/RθJA):
    - RθJC: 0.9°C/W
    - RθJA: 39°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 小封装尺寸 (5x6mm):适合紧凑设计。
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 最大值为1.36mΩ (VGS = 10V),最小化导通损耗。
    - 低栅极电荷 (QG): 有助于降低驱动损耗。
    - 湿可焊边缘选项 (Wettable Flank Option):增强光学检查。
    - AEC-Q101认证: 适用于汽车和工业应用。
    - 无铅且符合RoHS标准:环保友好。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 用于汽车引擎控制单元、电源转换器、DC-DC转换器等。
    - 使用建议: 在高功率应用中,建议选择合适的散热片以确保良好的热管理。在高频开关应用中,注意布局和走线,以减少寄生电感和电容的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与现有的5x6mm封装系统兼容。
    - 支持: ON Semiconductor提供详细的技术文档、应用指南和在线技术支持,确保客户能够充分利用该产品的潜力。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备发热异常。
    - 解决方案: 检查散热片安装是否正确,确保良好的热传导。同时,检查电源管理系统是否运行正常。
    - 问题2: 开关损耗高。
    - 解决方案: 检查电路板布局,减少寄生电感。使用低阻抗电源路径,确保充足的去耦电容。

    7. 总结和推荐


    优点

    总结

    :
    - 高集成度的小封装尺寸。
    - 低导通电阻,减少能耗。
    - 符合严格的应用标准和规范。
    - 良好的热管理和散热性能。
    推荐结论:
    NVMFS5C612NL MOSFET在高功率和高频应用中表现出色,非常适合需要紧凑设计和高性能要求的汽车和工业应用。强烈推荐给需要此类电子元器件的设计工程师和制造商。

NVMFS5C612NLT1G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5mΩ@ 50A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.66nF@25V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 91nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 36A,235A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3.8W(Ta),167W(Tc)
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5C612NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C612NLT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C612NLT1G NVMFS5C612NLT1G数据手册

NVMFS5C612NLT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.782 ¥ 14.9866
库存: 160500
起订量: 337 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 14.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336