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FDMS86263P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi P沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=150 V, 22 A, PQFN8封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 14M-FDMS86263P
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS86263P

FDMS86263P概述

    MOSFET FDMS86263P 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDMS86263P 是一款高性能P通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用onsemi先进的POWERTRENCH技术制造。
    该器件非常适合于快开关应用及负载开关应用。主要特性包括低导通电阻(Rds-on)和出色的开关性能。其主要应用领域包括有源钳位开关和负载开关。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 最大导通电阻(rDS(on)) | -10 V 时 53 mΩ(ID = -4.4 A)
    -6 V 时 64 mΩ(ID = -4 A) |
    | 最大漏源电压(VDS) | -150 V |
    | 最大连续漏电流(ID) | -22 A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 384 mJ |
    | 热阻(RθJC) | 1.2 °C/W |
    | 阈值电压(VGS(th)) | -2 V 至 -4 V |
    | 静态栅极电荷(Qg) | -10 V 至 -6 V 范围内 45 nC 至 63 nC |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在特定条件下,FDMS86263P 的最大导通电阻仅为 53 mΩ,这使得其在功率损耗和效率方面表现出色。
    - 快速开关:该MOSFET适用于需要高开关速度的应用,如高频逆变器和电机驱动系统。
    - 温度稳定性好:其热阻低(RθJC = 1.2 °C/W),有助于在高温环境下保持稳定的性能。
    - 100% Uil 测试:保证了每个产品的可靠性,确保其能够在最恶劣的条件下正常工作。

    4. 应用案例和使用建议


    - 有源钳位开关:在这种应用中,FDMS86263P 可以有效保护电路免受电压尖峰的影响,从而提高系统的整体稳定性和寿命。
    - 负载开关:利用其低导通电阻和快速开关能力,可以实现高效的电源管理。例如,在电池管理系统中,它可以用于高效地控制负载的接通和断开。
    使用建议:
    - 注意散热:由于其高功率密度,确保良好的散热设计是关键,以避免过热问题。
    - 匹配合适的驱动器:选择适当的驱动电阻,以确保快速和可靠的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与其他标准P通道MOSFET一样,FDMS86263P 可以方便地与现有电路集成。
    - 技术支持:onsemi 提供全面的技术支持,包括详细的文档和专业的技术支持团队,可帮助解决用户可能遇到的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何选择合适的驱动电阻?
    - 解决方案:根据具体应用选择一个合适的驱动电阻,以确保MOSFET在开关时的性能最优。

    - 问题:如何处理散热问题?
    - 解决方案:在电路板上设置有效的散热片或使用热管来增强散热效果,以防止器件过热。

    7. 总结和推荐


    总结:FDMS86263P 是一款非常适合高频开关应用的高性能P通道MOSFET。其低导通电阻、快速开关能力和出色的温度稳定性使其成为许多应用的理想选择。此外,其100%的测试通过率进一步增强了产品的可靠性和使用寿命。
    推荐:强烈推荐 FDMS86263P 用于需要高功率密度和高开关频率的应用场景。它不仅能够显著提高系统的效率和稳定性,还能为设计工程师提供更大的灵活性和可靠性保障。

FDMS86263P参数

参数
Id-连续漏极电流 4.4A,22A
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 150V
最大功率耗散 2.5W(Ta),104W(Tc)
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 25V
配置 独立式
栅极电荷 63nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 53mΩ@ 4.4A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.905nF@75V
5mm(Max)
5.85mm(Max)
1.1mm(Max)
通用封装 PQFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMS86263P厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS86263P数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS86263P FDMS86263P数据手册

FDMS86263P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 8.9895
10+ ¥ 8.0559
30+ ¥ 7.0734
100+ ¥ 6.8769
300+ ¥ 6.6137
1000+ ¥ 6.4211
库存: 1220
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