处理中...

首页  >  产品百科  >  NTMFS4937NCT1G

NTMFS4937NCT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 20V 2.2V@ 250µA 31nC@ 10V 1个N沟道 30V 4mΩ@ 30A,10V 10.2A 2.516nF@15V SO-FL-8 贴片安装
供应商型号: FL-NTMFS4937NCT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4937NCT1G

NTMFS4937NCT1G概述


    产品简介


    NTMFS4937N是一款单通道N沟道功率MOSFET,采用SO-8 FL封装。该器件具有低导通电阻(RDS(on)),可以显著降低导通损耗;低电容设计,减少驱动损耗;优化的栅极电荷,以最小化开关损耗。此外,NTMFS4937N符合无铅、无卤素、无BFR标准,并且满足RoHS要求。
    主要应用包括CPU电源分配和DC-DC转换器等领域。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 漏源电压(VDSS):30 V
    - 连续漏极电流(TA=25°C):17.1 A(TA=100°C):10.9 A
    - 脉冲漏极电流(TA=25°C,tp=10 µs):210 A
    - 最大功率耗散(TA=25°C):2.6 W(TA=100°C):0.92 W
    - 电气特性
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):
    - VGS=10 V,ID=30 A时:3.2 mΩ
    - VGS=4.5 V,ID=30 A时:4.8 mΩ
    - 零门电压漏极电流(IDSS):VDS=24 V时为1.0 µA(TJ=125°C时为10 µA)
    - 栅源泄漏电流(IGSS):±100 nA
    - 其他参数
    - 输入电容(CISS):2516 pF
    - 输出电容(COSS):840 pF
    - 反向传输电容(CRSS):25 pF
    - 总栅极电荷(QG(TOT)):VGS=10 V,VDS=15 V,ID=30 A时为31 nC

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on)低至4.0 mΩ,适用于高效率的电源转换应用。
    - 低电容:减少驱动损耗,适合高频应用。
    - 优化的栅极电荷:有助于降低开关损耗,提高系统整体效率。
    - 环保材料:无铅、无卤素、无BFR,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - CPU电源分配:NTMFS4937N可用于CPU供电系统,确保高效的电源管理。
    - DC-DC转换器:在高频率下工作,提高转换效率。
    使用建议
    - 在高频开关应用中,尽量保持较低的栅极电阻(RG)以优化开关时间。
    - 对于长时间连续运行的应用,确保散热措施良好,避免过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTMFS4937N可与其他标准SO-8封装的MOSFET互换使用,便于替换现有设计中的器件。
    - 支持和维护:ON Semiconductor提供全面的技术支持和文档,包括详细的Datasheet、应用笔记和技术支持热线。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:参考产品手册中的图表,选择合适的栅极电阻(RG)以达到最佳的开关时间和功耗平衡。

    - 问题:在高温环境下运行会有什么影响?
    - 解决方案:确保在高温环境下使用时,遵守最高额定值的限制,并采取有效的散热措施,如使用散热片或散热器。

    总结和推荐


    NTMFS4937N是一款高效、高性能的N沟道功率MOSFET,适用于CPU电源分配和DC-DC转换器等多种应用场合。其低导通电阻和优化的栅极电荷设计使其成为高效率、低损耗电源管理的理想选择。通过细致的测试和验证,ON Semiconductor确保该器件在多种工作条件下的可靠性和稳定性。总体来看,强烈推荐此产品用于需要高效率电源转换的设计中。

NTMFS4937NCT1G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 31nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 10.2A
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 30A,10V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.516nF@15V
最大功率耗散 -
通用封装 SO-FL-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS4937NCT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4937NCT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS4937NCT1G NTMFS4937NCT1G数据手册

NTMFS4937NCT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.9688 ¥ 8.2054
库存: 6000
起订量: 615 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 8.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336