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NTR2101PT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=8 V, 3.7 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 14M-NTR2101PT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTR2101PT1G

NTR2101PT1G概述

    NTR2101P MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型: NTR2101P 是一款单通道P沟道MOSFET,属于小信号类型,采用SOT-23封装形式。
    主要功能: 这款MOSFET设计用于高侧负载开关和直流-直流转换等应用。它具备低导通电阻(RDS(on))和对低压栅极驱动的良好支持。
    应用领域: 手机、笔记本电脑、个人数字助理(PDAs)等便携式电子设备。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VDSS | -8.0 | V |
    | 栅源击穿电压 | VGS | ±8.0 | V |
    | 持续漏极电流(注1) | ID | -3.7 | A |
    | 最大功率耗散(注1) | PD | 0.96 | W |
    | 脉冲漏极电流(注2) | IDM | -11 | A |
    | 工作结温和存储温度 | TJ, TSTG | -55 to 150 | °C |
    | 源电流(体二极管) | IS | -1.2 | A |
    | 焊接端温度(用于焊接目的) | TL | 260 | °C |

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    - 领先的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(on))。
    - 额定耐压为-1.8V,适用于低压栅极驱动。
    - SOT-23表面贴装,占用面积仅为3x3mm,适合紧凑空间应用。
    - 无铅器件,环保且符合行业标准。
    市场竞争力:
    - 在便携式电子设备中表现出色,如手机和笔记本电脑。
    - 具有出色的热稳定性,可在较宽的工作温度范围内稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高侧负载开关:在电池供电的设备中,高侧负载开关可以有效地控制电流流动。
    - DC-DC转换器:该器件在低电压应用中表现出色,适合作为转换器中的关键组件。
    使用建议:
    - 在使用过程中,应注意避免超过最大额定值,以防止损坏设备。
    - 在设计电路时,应考虑MOSFET的散热问题,特别是在高电流环境下。
    - 为了实现最佳性能,建议在典型的工作条件下操作,参考手册中的电气特性表。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: NTR2101P 具有广泛的兼容性,可与多种电路和设备配合使用。
    - 支持和维护: 制造商提供了详细的技术文档和支持服务,用户可以在官方网站上查找相关信息,包括数据表、应用笔记和技术支持文档。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决办法:
    - 问题1: 设备在高温下无法正常工作。
    解决办法: 确保工作环境温度不超过规定范围,必要时增加散热措施。
    - 问题2: 设备频繁烧毁。
    解决办法: 检查电源电压是否超出额定范围,确保使用适当的保护措施。
    - 问题3: 设备在冷启动时反应迟缓。
    解决办法: 检查电路连接,确保所有接点牢固无松动,同时避免过度冷却环境。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    NTR2101P MOSFET是一款高性能、小型化的P沟道MOSFET,特别适用于手机、笔记本电脑和个人数字助理等便携式电子设备。它具备低导通电阻、良好的温度稳定性和广泛的适用范围,能够在各种应用场景中表现出色。
    推荐使用:
    考虑到其卓越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在需要高效能、高可靠性的应用场景中使用NTR2101P。购买前,请仔细阅读技术手册并遵循制造商的指导。

NTR2101PT1G参数

参数
栅极电荷 15nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 8V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
通道数量 1
配置 独立式
最大功率耗散 960mW(Ta)
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 52mΩ@ 3.5A,4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.173nF@4V
Vds-漏源极击穿电压 8V
Id-连续漏极电流 3.7A
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1mm
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NTR2101PT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTR2101PT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTR2101PT1G NTR2101PT1G数据手册

NTR2101PT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50+ ¥ 0.5948
150+ ¥ 0.5187
500+ ¥ 0.4706
1500+ ¥ 0.43
3000+ ¥ 0.4082
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