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NTMFS6D1N08HT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 89 A, DFN封装, 表面贴装, 5引脚
供应商型号: NTMFS6D1N08HT1G
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS6D1N08HT1G

NTMFS6D1N08HT1G概述

    # MOSFET NTMFS6D1N08H 技术手册

    产品简介


    NTMFS6D1N08H 是一款N沟道增强型功率MOSFET,设计用于多种电子应用,包括同步整流、AC-DC和DC-DC电源转换器、AC适配器(USB PD)和负载开关。此MOSFET具备紧凑的封装和低导通电阻的特点,适用于需要高效能量转换的应用场景。
    主要功能
    - 低导通电阻 (RDS(on)):可降低导通损耗,提高效率。
    - 小封装 (5x6 mm):适用于空间受限的设计。
    - 低栅极电荷 (QG):减少驱动器损耗。
    - 无铅、无卤素/无BFR、无铍材料:符合RoHS标准,环保友好。
    应用领域
    - 同步整流
    - AC-DC和DC-DC电源供应
    - AC适配器(USB PD)
    - 负载开关

    技术参数


    极限参数
    - 漏源电压 (VDSS): 80 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏极电流 (ID, TC=25°C): 89 A
    - 最大功耗 (PD, RJC): 104 W
    - 单脉冲漏源雪崩能 (EAS): 465 mJ
    热阻
    - 结至外壳热阻 (RJC): 1.44 °C/W
    - 结至环境热阻 (RJA): 40 °C/W
    电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on), VGS=10V, ID=20A): 4.5-5.5 mΩ
    - 输入电容 (CISS): 2085 pF
    - 输出电容 (COSS): 300 pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT), VGS=10V, VDS=40V, ID=30A): 32 nC
    开关特性
    - 开启延迟时间 (td(ON)): 18 ns
    - 关闭延迟时间 (td(OFF)): 48 ns
    - 下降时间 (tf): 39 ns

    产品特点和优势


    - 紧凑设计:采用5x6mm的小型封装,适合紧凑的空间要求。
    - 低导通电阻:最小化的RDS(on)确保低导通损耗,提升能效。
    - 低栅极电荷:低QG值减小驱动损耗,提高整体系统效率。
    - 绿色环保:无铅、无卤素/无BFR、无铍材料,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NTMFS6D1N08H MOSFET 广泛应用于各类电源转换和整流电路中。例如,在同步整流中,通过将MOSFET置于二极管的位置,可以大幅降低二极管的正向压降,从而提高电源转换效率。另外,在AC-DC适配器中,由于其高效率和低损耗特性,非常适合于快充应用,如USB PD适配器。
    使用建议
    - 在设计过程中,需要考虑其极限参数,避免超过额定值造成损坏。
    - 使用散热片或其他冷却手段以确保在高功率应用中保持温度在安全范围内。
    - 对于瞬态冲击,合理设置栅极电阻(RG),以确保快速开启和关闭时不会产生过大的峰值电流。

    兼容性和支持


    - 与现有的PCB设计高度兼容,可轻松替换传统分立元件。
    - 供应商提供了详细的技术支持和文档资料,方便用户进行二次开发和故障排除。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    - 问:如何确定其最大工作温度?
    - 答: 最大工作温度范围为-55°C至+175°C。确保在设计时考虑到这一点,特别是在高温环境下工作的系统。
    - 问:MOSFET在雪崩击穿时应注意什么?
    - 答: 雪崩击穿测试表明,在特定条件下(如100%测试时IAS = 8.4 A),最大雪崩能量可达465 mJ。使用时要注意不要超过这些限制,否则可能导致设备失效。

    总结和推荐


    NTMFS6D1N08H 是一款高性能的N沟道MOSFET,以其紧凑的外形、低导通电阻和环保材料等特点脱颖而出。适用于多种电源转换和整流应用,且具有优秀的温度适应性和可靠性。鉴于其广泛的适用性和强大的性能表现,强烈推荐在电源管理相关的电子设计项目中使用该产品。

NTMFS6D1N08HT1G参数

参数
栅极电荷 32nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 5.5mΩ@ 20A,10V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.085nF@40V
最大功率耗散 3.8W(Ta),104W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Id-连续漏极电流 89A
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 120µA
FET类型 1个N沟道
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS6D1N08HT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS6D1N08HT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS6D1N08HT1G NTMFS6D1N08HT1G数据手册

NTMFS6D1N08HT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.8985
100+ ¥ 3.6802
500+ ¥ 3.5554
1000+ ¥ 3.4307
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