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FDS4072N7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3W(Ta) 12V 3V@ 250µA 46nC@ 4.5V 1个N沟道 40V 9mΩ@ 13.7A,10V 12.4A 4.299nF@20V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
供应商型号: CY-FDS4072N7
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDS4072N7

FDS4072N7概述


    产品简介


    FDS4072N7是一款由Fairchild Semiconductor生产的40V N-Channel PowerTrench MOSFET。这款MOSFET专为提高直流到直流(DC/DC)转换器的效率而设计,适用于同步或常规开关PWM控制器。该产品特别优化用于“低侧”同步整流操作,具有极低的导通电阻(RDS(ON)),并且采用了高性能沟槽技术。FDS4072N7广泛应用于同步整流器和DC/DC转换器中。

    技术参数


    - 额定电压:40 V
    - 最大漏源电压(VDSS):40 V
    - 连续漏电流(ID):12.4 A
    - 脉冲漏电流(ID):60 A
    - 功率耗散(P):3.0 W
    - 结温范围(TJ, TSTG):-55°C 至 +150°C
    - 热阻(RθJA):40°C/W
    - 热阻(RθJC):0.5°C/W
    - 栅源电压(VGSS):± 12 V
    - 导通电阻(RDS(ON)):
    - 在VGS = 4.5 V时为11 mΩ
    - 在VGS = 10 V时为9 mΩ
    - 正向转导率(gFS):84 S
    - 输入电容(Ciss):4299 pF
    - 输出电容(Coss):351 pF
    - 反向转移电容(Crss):149 pF
    - 总栅极电荷(Qg):33 nC
    - 栅极源极电荷(Qgs):7.8 nC
    - 栅极漏极电荷(Qgd):8.1 nC
    - 二极管最大连续漏源电流(IS):2.5 A
    - 二极管正向电压(VSD):0.7 V 至 1.2 V
    - 二极管反向恢复时间(trr):30 ns
    - 二极管反向恢复电荷(Qrr):90 nC

    产品特点和优势


    FDS4072N7具有以下几个显著的特点和优势:
    - 极低的导通电阻(RDS(ON))使得其在小封装中能够提供高功率和大电流处理能力。
    - 快速开关能力使其适用于高频应用,从而提高了整体效率。
    - 使用了FLMP SO-8封装,具有增强的热性能且符合行业标准尺寸。
    - 高性能沟槽技术确保了在所有工作条件下具有极低的导通电阻,增强了可靠性。
    - 支持广泛的电压和电流范围,满足不同应用场景的需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FDS4072N7主要用于同步整流器和DC/DC转换器,这些应用需要高效的电力转换和快速的响应速度。例如,在笔记本电脑电源适配器中,它可以减少电力损耗并提高系统的整体能效。
    使用建议
    为了充分利用FDS4072N7的优势,建议在使用时:
    - 确保良好的散热设计,以避免过热。
    - 优化电路板布局,特别是电源回路的布局,以减少寄生电感的影响。
    - 选择合适的栅极驱动器以确保快速、准确的开关控制。

    兼容性和支持


    FDS4072N7的FLMP SO-8封装使其与多种标准电路板相兼容。Fairchild Semiconductor提供了详细的技术支持和文档,包括设计指南、应用笔记和软件工具,以帮助工程师实现最佳的设计效果。此外,客户还可以通过技术支持热线获取进一步的帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1:过高的温度导致器件损坏
    解决方案:改善散热设计,确保足够的空气流通和适当的散热片。可以考虑使用更大的散热片或者添加风扇来降低器件的工作温度。
    问题2:电流过大导致导通电阻增加
    解决方案:在使用过程中确保电流不超过器件的最大额定值。如果需要更高的电流处理能力,可以选择更高额定值的产品。
    问题3:电磁干扰(EMI)问题
    解决方案:优化电路设计,采用屏蔽材料或地线布局以减少EMI。此外,选择合适的电容器和其他无源元件,以抑制高频噪声。

    总结和推荐


    FDS4072N7以其高效率、高性能和小型化封装成为了DC/DC转换器和同步整流器的理想选择。其出色的热管理和低导通电阻使它成为高功率应用中的首选。我们强烈推荐FDS4072N7用于需要高效能和可靠性的电力转换场合,特别是在对空间要求较高的应用环境中。
    综上所述,FDS4072N7不仅具有优异的技术性能,还提供了强大的支持和丰富的资源,是设计师和制造商的优秀选择。

FDS4072N7参数

参数
栅极电荷 46nC@ 4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.299nF@20V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 13.7A,10V
Vgs-栅源极电压 12V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 12.4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3W(Ta)
通道数量 1
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*1.75mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDS4072N7厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDS4072N7数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDS4072N7 FDS4072N7数据手册

FDS4072N7封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.3698 ¥ 11.679
100+ $ 1.3451 ¥ 11.5747
300+ $ 1.3328 ¥ 11.4704
500+ $ 1.3204 ¥ 11.3661
1000+ $ 1.2834 ¥ 10.8448
5000+ $ 1.2834 ¥ 10.8448
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