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NVD6495NLT4G-VF01

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 83W(Tc) 20V 2V@ 250µA 35nC@ 10 V 1个N沟道 100V 50mΩ@ 10A,10V 25A 1.024nF@25V TO-252 贴片安装
供应商型号: SXE-NVD6495NLT4G-VF01
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVD6495NLT4G-VF01

NVD6495NLT4G-VF01概述

    NVD6495NL MOSFET 技术手册综述

    产品简介


    NVD6495NL 是一款 N 沟道逻辑电平 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低导通电阻和强大的电气性能。它的主要用途包括开关电源、直流到直流转换器、电机驱动和其他需要高效能电力管理的应用领域。该 MOSFET 具备高可靠性和长期稳定性,符合严格的工业标准,如 AEC-Q101 资格认证。

    技术参数


    - 额定电压:VDSS = 100 V
    - 栅源电压范围:−20 V ≤ VGS ≤ +20 V
    - 连续漏极电流:ID = 25 A(TC = 25°C),ID = 18 A(TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流:IDM = 80 A(tp = 10 μs)
    - 最大功耗:PD = 83 W(TC = 25°C)
    - 存储和工作温度范围:TJ, Tstg = −55°C 至 +175°C
    - 阈值电压:VGS(TH) = 1.0 V 至 2.0 V(VGS = VDS,ID = 250 μA)
    - 导通电阻:RDS(on) = 50 mΩ(VGS = 10 V,ID = 10 A)
    - 最大雪崩能量:EAS = 79 mJ(VDD = 50 Vdc,VGS = 10 Vdc,IL(pk) = 23 A)

    产品特点和优势


    NVD6495NL 的主要特点是其低导通电阻(RDS(on)),这使得它在功率转换和驱动电路中具有极高的效率。100% 雪崩测试确保了其耐用性和可靠性。此外,该器件采用无铅制造且符合 RoHS 标准,适合环保要求高的应用。

    应用案例和使用建议


    NVD6495NL 可广泛应用于电源管理和驱动系统。例如,在电动汽车充电站的电源转换器中,它可以有效减少热量产生,提高系统的整体效率。在实际应用中,建议在高温环境下使用时要注意散热设计,以避免过热问题。

    兼容性和支持


    NVD6495NL 支持与各种电源管理和控制系统兼容。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品手册、样品申请和技术咨询服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高负载条件下,MOSFET 发生过热现象。
    - 解决方案:增加散热片或者风扇来增强散热效果,或使用更大的散热片进行被动冷却。

    - 问题:器件在高温环境下工作时性能下降。
    - 解决方案:确认散热方案的有效性,调整散热设计以适应高温工作环境。

    总结和推荐


    NVD6495NL 在众多同类产品中表现出色,尤其在高效率和可靠性方面。它的低导通电阻和强大的雪崩耐受能力使其成为高性能电源管理系统中的理想选择。如果您的应用需要高效的电力转换和可靠的长期运行,NVD6495NL 是一个值得考虑的选择。我们强烈推荐使用这款 MOSFET 来满足您的需求。

NVD6495NLT4G-VF01参数

参数
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.024nF@25V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
栅极电荷 35nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 83W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 10A,10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 25A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

NVD6495NLT4G-VF01厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVD6495NLT4G-VF01数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVD6495NLT4G-VF01 NVD6495NLT4G-VF01数据手册

NVD6495NLT4G-VF01封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 6.4975
10+ ¥ 6.2376
100+ ¥ 6.1336
500+ ¥ 6.0297
2500+ ¥ 5.1979
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