处理中...

首页  >  产品百科  >  NDFPD1N150CG

NDFPD1N150CG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2W(Ta),20W(Tc) 30V 4.2nC@ 10 V 1个N沟道 1.5KV 150Ω@ 50mA,10V 100mA 80pF@30V TO-220-3 通孔安装 10.16mm*4.7mm*15.87mm
供应商型号: FL-NDFPD1N150CG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDFPD1N150CG

NDFPD1N150CG概述


    产品简介


    NDFPD1N150C 是一款由半导体组件工业有限公司(Semiconductor Components Industries, LLC)生产的新一代功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款产品特别适用于高压和高电流的应用场景,如电源转换器、电机驱动器、焊接设备等。其基本特征包括1500V的耐压能力和100Ω的典型导通电阻。这些特性使得它在多种工业应用中表现卓越。

    技术参数


    以下是NDFPD1N150C的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏极-源极击穿电压 | V(BR)DSS | ID=10mA, VGS=0V 1500 V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=1200V, VGS=0V 1 mA |
    | 栅极-源极漏电流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V ±100 nA |
    | 截止电压 | VGS(off) | VDS=10V, ID=1mA | 2 | 4 V |
    | 前向转移导纳 yfs VDS=20V, ID=50mA | 0.1 S |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | ID=50mA, VGS=10V | 100 | 150 Ω |
    | 输入电容 | Ciss | VDS=30V, f=1MHz 80 pF |
    | 输出电容 | Coss 9 pF |
    | 反向转移电容 | Crss 2.5 pF |
    | 开启延迟时间 | td(on) | 见图1 8 ns |
    | 上升时间 | tr 13 ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) 43 ns |
    | 下降时间 | tf 280 ns |

    产品特点和优势


    NDFPD1N150C 的独特之处在于其高耐压能力和低导通电阻,使其非常适合于需要处理高压和大电流的场合。其零栅压漏极电流为1mA,这表明即使在无电压条件下,也能够保持良好的隔离效果。此外,其前向转移导纳为0.1S,这说明它具有出色的控制性能。整体来看,NDFPD1N150C 在高压和高频应用中表现出色,拥有较高的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NDFPD1N150C 适用于多种工业应用,例如:
    - 电源转换器:可以高效地进行电压转换,提供稳定的输出。
    - 电机驱动器:能有效驱动大功率电机,确保平稳运行。
    - 焊接设备:用于高频焊接过程,提高焊接质量和效率。
    使用建议
    在使用 NDFPD1N150C 时,建议遵循以下几点:
    - 确保电路设计符合规定的最大额定值。
    - 使用适当的散热措施,以避免过热损坏。
    - 根据实际需求选择合适的驱动电压和电流,以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    NDFPD1N150C 采用 TO-220F-3FS 封装形式,这种封装广泛应用于各种高压电源和驱动电路中。该产品与其他常见的高压MOSFET具备良好的兼容性,便于替换和升级现有系统。此外,制造商提供了详细的订购和包装信息,并承诺提供必要的技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定 NDFPD1N150C 的驱动电压?
    - 解决方案: 驱动电压通常设定为10V。根据具体应用,可以在9V到12V之间调整,以获得最佳性能。
    2. 问题:如何确保 NDFPD1N150C 不会过热损坏?
    - 解决方案: 请确保使用适当的散热措施,如加装散热片或风扇,以维持芯片温度在安全范围内。
    3. 问题:如何正确安装 NDFPD1N150C?
    - 解决方案: 安装时请注意正确的引脚顺序(门极、漏极、源极),并确保焊接质量良好。

    总结和推荐


    总的来说,NDFPD1N150C 是一款高性能、高可靠性的高压功率MOSFET,特别适合高压和高频应用。其高耐压能力和低导通电阻使其成为许多工业领域的理想选择。此外,厂商提供的详细支持和完善的文档资料使得其易于集成到现有系统中。因此,我强烈推荐使用 NDFPD1N150C 作为高压应用的首选MOSFET器件。

NDFPD1N150CG参数

参数
通道数量 1
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 80pF@30V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 150Ω@ 50mA,10V
最大功率耗散 2W(Ta),20W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 1.5KV
栅极电荷 4.2nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 100mA
长*宽*高 10.16mm*4.7mm*15.87mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

NDFPD1N150CG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDFPD1N150CG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NDFPD1N150CG NDFPD1N150CG数据手册

NDFPD1N150CG封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 3.0305 ¥ 25.6682
库存: 5370
起订量: 197 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 25.66
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336