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FQAF11N90C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 120W(Tc) 30V 5V@ 250µA 80nC@ 10V 1个N沟道 900V 1.1Ω@ 3.5A,10V 7A 3.29nF@25V TO-3PF 通孔安装 15.7mm*5.7mm*26.7mm
供应商型号: UNP-FQAF11N90C
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQAF11N90C

FQAF11N90C概述


    产品简介


    产品名称:FQAF11N90C N-Channel QFET® MOSFET
    产品类型:N沟道增强型功率MOSFET
    主要功能:该器件采用Fairchild Semiconductor专有的平面条纹和DMOS技术制造,旨在降低导通电阻并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。
    应用领域:适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯管镇流器等领域。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDSS):900V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C时:7.0A
    - TC = 100°C时:4.4A
    - 脉冲漏极电流(IDM):28.0A
    - 栅源电压(VGSS):±30V
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):960mJ
    - 栅体泄漏电流(IGSSF、IGSSR):100nA、-100nA
    - 最大雪崩电流(IAR):7.0A
    - 重复雪崩能量(EAR):12mJ
    - 反向恢复峰值di/dt:4.0V/ns
    - 功率耗散(PD):25°C时120W;25°C以上每度降低0.96W
    - 工作和存储温度范围(TJ, TSTG):-55至+150°C
    - 最大引脚焊接温度(TL):距管壳1/8英寸处300°C
    - 开关特性:
    - 导通延迟时间(td(on)):60至130ns
    - 关断延迟时间(td(off)):130至270ns
    - 开关总电荷(Qg):60至80nC
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss):2530至3290pF
    - 输出电容(Coss):215至280pF
    - 反向传输电容(Crss):23至30pF

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on)为1.1Ω(最大值),适合于要求高效能的应用。
    - 低栅极电荷:典型值为60nC,有利于降低开关损耗。
    - 低反向恢复电容:典型值为23pF,可以减少开关损耗和提高效率。
    - 全脉冲雪崩测试:确保产品的可靠性和稳定性。
    - 优异的开关性能:适用于高频应用,特别是在开关模式电源中表现出色。

    应用案例和使用建议


    - 开关模式电源:适用于高频逆变器和变换器,利用其低导通电阻和快速开关特性。
    - 有源功率因数校正(PFC):可实现高效的功率因数校正,提高系统效率。
    - 电子灯管镇流器:通过快速开关特性控制灯管的工作状态,延长灯管寿命。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,建议注意散热管理以避免热失控。
    - 在高频开关应用中,应考虑并联多个器件以分担电流负荷,提高整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于各种标准电路设计,与市场上主流的控制芯片兼容。
    - 支持:ON Semiconductor提供详尽的技术文档和支持服务,包括电话和技术支持中心。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:导通延迟时间较长。
    - 解决办法:检查驱动信号的质量,确保驱动电压符合规范。
    2. 问题:功率耗散过大。
    - 解决办法:改善散热措施,如增加散热片或使用水冷装置。
    3. 问题:反向恢复时间过长。
    - 解决办法:选择合适的电路设计,降低回路电感,以减少反向恢复期间的电压尖峰。

    总结和推荐


    综合评估:
    FQAF11N90C N-Channel QFET® MOSFET是一款高性能的功率MOSFET,具备低导通电阻、低栅极电荷和全脉冲雪崩测试等显著优点,特别适用于开关模式电源、有源功率因数校正和电子灯管镇流器等应用领域。其优异的性能使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐:
    强烈推荐此款产品给需要高效能功率转换的应用,特别是对开关性能有较高要求的设计者和制造商。

FQAF11N90C参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.29nF@25V
配置 独立式
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 3.5A,10V
最大功率耗散 120W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 900V
栅极电荷 80nC@ 10V
Id-连续漏极电流 7A
长*宽*高 15.7mm*5.7mm*26.7mm
通用封装 TO-3PF
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FQAF11N90C厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQAF11N90C数据手册

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FQAF11N90C封装设计

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