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IRFS240B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 73W 30V 45nC@ 10V 200V 180mΩ@ 10V 12.8A 1.3nF@ 25V TO-3PF
供应商型号: CY-IRFS240B
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) IRFS240B

IRFS240B概述

    IRFS240B N-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    IRFS240B 是一款由 Fairchild Semiconductor 生产的 200V N-Channel 增强型功率场效应晶体管(MOSFET),采用 Fairchild 独有的平面 DMOS 技术制造。这种先进的技术特别设计以降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并承受高能脉冲在雪崩和换相模式下工作。IRFS240B 特别适用于高效率开关直流-直流转换器、开关电源、不间断电源的直流-交流转换器以及电机控制。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源击穿电压(BVDSS):200 V
    - 漏极连续电流(TC = 25°C):12.8 A
    - 漏极连续电流(TC = 100°C):8.1 A
    - 脉冲漏极电流(最大):51.2 A
    - 单次脉冲雪崩能量(EAS):250 mJ
    - 反复雪崩能量(EAR):7.3 mJ
    - 静态参数:
    - 导通电阻(RDS(on)):0.18Ω (VGS = 10 V, ID = 6.4 A)
    - 输入电容(Ciss):1300 至 1700 pF (VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz)
    - 输出电容(Coss):175 至 230 pF
    - 反向传输电容(Crss):45 至 60 pF
    - 动态参数:
    - 开启延迟时间(td(on)):20 至 50 ns
    - 开启上升时间(tr):145 至 300 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):145 至 300 ns
    - 关闭下降时间(tf):110 至 230 ns
    - 总栅极电荷(Qg):45 至 58 nC
    - 栅源电荷(Qgs):6.5 至 7.8 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):22 至 24 nC
    - 热阻参数:
    - 结至外壳热阻(RθJC):1.7°C/W
    - 结至环境热阻(RθJA):40°C/W
    - 其他参数:
    - 峰值二极管恢复 dv/dt:5.5 V/ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on) = 0.18Ω @VGS = 10 V):低导通电阻可以显著减少功耗,提高效率。
    - 快速开关:快速开关能力使其在高频应用中表现出色。
    - 低栅极电荷(典型 45 nC):低栅极电荷有助于降低驱动器功率消耗。
    - 高耐压:能够承受高达 200V 的漏源电压。
    - 高可靠性和抗雪崩性能:通过 100% 雪崩测试,确保可靠性和稳定性。
    - 高 dv/dt 能力:增强了二极管恢复性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 适用于高效率开关直流-直流转换器和开关电源。
    - 在不间断电源的直流-交流转换器中表现优异。
    - 广泛应用于电机控制系统。
    - 使用建议:
    - 由于其低导通电阻和高开关速度,IRFS240B 特别适合高频和大功率应用。
    - 选择合适的驱动电路以充分发挥其快速开关的优点。
    - 在高温环境中使用时应注意散热设计,以保持正常工作状态。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 与大多数现有的开关电源和电机控制系统兼容。
    - 可直接替代 IRFS240 和 IRFS240A。
    - 支持:
    - Fairchild Semiconductor 提供详细的安装指南和技术支持。
    - 用户可通过官方网站获取最新数据表和技术更新。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:栅极泄露电流过大
    - 解决方法: 检查驱动电路是否存在问题,确保栅极和源极之间的连接可靠,避免过大的静电干扰。
    - 问题:温度过高导致器件失效
    - 解决方法: 加强散热设计,使用散热片或其他散热措施,确保器件工作在安全温度范围内。
    - 问题:高频开关时表现不佳
    - 解决方法: 使用适当的门极电阻和电容来调整开关速度,以匹配系统的频率要求。

    7. 总结和推荐


    IRFS240B 是一款高性能的 200V N-Channel MOSFET,具有出色的导通电阻、快速开关能力和可靠性。它适用于多种应用场景,特别是在高效率转换器和电源管理系统中表现出色。强烈推荐在高效率和高可靠性要求的应用中使用 IRFS240B。
    此产品不仅在性能上具备明显的优势,而且具有广泛的适用性和良好的技术支持。对于需要高性能、可靠性和稳定性的应用场合,IRFS240B 是一个理想的选择。

IRFS240B参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF@ 25V
最大功率耗散 73W
FET类型 -
Id-连续漏极电流 12.8A
栅极电荷 45nC@ 10V
通用封装 TO-3PF

IRFS240B厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

IRFS240B数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR IRFS240B IRFS240B数据手册

IRFS240B封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.6242 ¥ 5.3713
300+ $ 0.6185 ¥ 5.3229
500+ $ 0.6127 ¥ 5.2745
1000+ $ 0.5956 ¥ 5.0325
5000+ $ 0.5956 ¥ 5.0325
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