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NTMYS3D3N06CLTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.9W(Ta),100W(Tc) 20V 2V@ 250µA 40.7nC@ 10V 1个N沟道 60V 3mΩ@ 50A,10V 26A,133A 2.88nF@25V LFPAK-4 贴片安装
供应商型号: CY-NTMYS3D3N06CLTWG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMYS3D3N06CLTWG

NTMYS3D3N06CLTWG概述

    NTMYS3D3N06CL Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:NTMYS3D3N06CL 是一款高性能的功率 MOSFET,由 Semiconductor Components Industries, LLC 生产。
    主要功能:此器件是一款单通道 N 沟道 MOSFET,具有高电流承载能力和低导通电阻,适合用于各种电力转换应用。
    应用领域:广泛应用于电源管理、电机驱动、新能源汽车、工业自动化控制等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏-源电压 | VDSS | 60 | V |
    | 门-源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(Tc=25°C) | ID | 133 | A |
    | 持续漏极电流(Tc=100°C)| ID | 75 | A |
    | 功率耗散(Tc=25°C) | PD | 100 | W |
    | 功率耗散(Tc=100°C) | PD | 32 | W |
    | 热阻(稳态,结-壳) | RJC | 1.5 | °C/W|
    | 热阻(稳态,结-环境) | RJA | 38 | °C/W|
    | 门电荷总值(VGS=4.5V) | QG(TOT) | 18.4 | nC |
    | 门电荷总值(VGS=10V) | QG(TOT) | 40.7 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 小型封装:5x6 mm 尺寸的小型封装,适合紧凑设计。
    - 低导通电阻:在 VGS = 10V 时,导通电阻为 3.0 mΩ,有助于减少传导损耗。
    - 低栅极电荷:QG(TOT) 最大值仅为 40.7 nC,可以减少驱动损耗。
    - 行业标准封装:采用 LFPAK4 封装,符合行业标准。
    - 无铅且符合 RoHS 规范:满足环保要求,无需担心有毒物质。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理系统:由于其低导通电阻,NTMYS3D3N06CL 在直流-直流转换器和线性稳压器中表现出色。
    - 电机驱动:在马达控制系统中使用,可以提供高效率和稳定的电流输出。
    - 新能源汽车:适用于电动汽车电池管理和充电系统,提供可靠且高效的电力转换。
    使用建议:
    - 在进行焊接操作时,注意确保焊点温度不超过 260°C,以避免损坏器件。
    - 鉴于其低栅极电荷特性,在设计驱动电路时,考虑使用较低的栅极电阻来优化开关速度。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTMYS3D3N06CL 采用行业标准封装,易于与其他标准设备集成。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供全面的技术支持服务,可以通过电话或电子邮件联系他们的技术团队。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减小栅极电阻或提高驱动电压 |
    | 导通电阻增加 | 确保良好的散热措施,降低工作温度 |
    | 发生故障 | 检查电路连接,确认没有短路或过载情况 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,NTMYS3D3N06CL 功率 MOSFET 具备低导通电阻、低栅极电荷和行业标准封装等显著优势,非常适合需要高效能、高稳定性的应用场合。对于设计需要处理高电流且需保证转换效率的工程师来说,这款产品是值得推荐的选择。此外,ON Semiconductor 的全面技术支持也能有效保障用户的顺利应用。

NTMYS3D3N06CLTWG参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 40.7nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@ 50A,10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.9W(Ta),100W(Tc)
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.88nF@25V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 26A,133A
通用封装 LFPAK-4
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMYS3D3N06CLTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMYS3D3N06CLTWG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMYS3D3N06CLTWG NTMYS3D3N06CLTWG数据手册

NTMYS3D3N06CLTWG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.9662 ¥ 8.3138
300+ $ 0.9573 ¥ 8.2389
500+ $ 0.9484 ¥ 8.164
1000+ $ 0.9218 ¥ 7.7895
5000+ $ 0.9218 ¥ 7.7895
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