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NVMFS5C468NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 35 A, DFN封装, 表面贴装, 5引脚
供应商型号: NVMFS5C468NT1G
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C468NT1G

NVMFS5C468NT1G概述


    产品简介


    NVMFS5C468N 是一款单片N沟道功率MOSFET,设计用于紧凑型设计,适用于多种电力转换应用。该产品提供极低的导通电阻(RDS(on)),旨在最大限度减少传导损耗,从而提高能源效率。此外,它还具备小封装尺寸(5x6 mm)以及优化的驱动损耗,使其成为电力系统中不可或缺的关键部件。

    技术参数


    - 漏源电压(VDSS): 40 V
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 最大连续漏电流(TC = 25°C): 35 A
    - 最大脉冲漏电流(TA = 25°C, tp = 10 μs): 151 A
    - 最大结温(TJ, Tstg): -55至+175°C
    - 最大源电流(体二极管)(IS): 23 A
    - 单脉冲漏源雪崩能量(IL(pk) = 1.9 A): 75 mJ
    - 热阻(Junction-to-Case): 5.3 °C/W
    - 热阻(Junction-to-Ambient): 43 °C/W
    - 导通电阻(RDS(on)): 12 mΩ(VGS = 10 V, ID = 10 A)
    - 输入电容(CISS): 420 pF(VGS = 0 V, f = 1 MHz, VDS = 25 V)
    - 输出电容(COSS): 230 pF
    - 反向转移电容(CRSS): 11 pF
    - 总栅电荷(QG(TOT)): 7.9 nC(VGS = 10 V, VDS = 32 V, ID = 10 A)

    产品特点和优势


    NVMFS5C468N 的关键优势包括:
    - 紧凑封装:提供小封装尺寸(5x6 mm),使得设计更加紧凑。
    - 低导通电阻:导通电阻低至12 mΩ(在VGS = 10 V, ID = 10 A时),有助于降低传导损耗。
    - 优化的驱动损耗:低QG和电容特性,进一步减少驱动损耗。
    - 增强检测:可选的湿湿脚选项(NVMFS5C468NWF)提高了光学检测的可靠性。
    - 高可靠性:AEC-Q101认证和PPAP能力,确保其满足汽车和其他严苛应用的要求。
    - 环保:无铅且符合RoHS标准,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    NVMFS5C468N 广泛应用于各种电力转换场景,例如开关电源、马达驱动、逆变器和电源管理模块等。针对这些应用,以下是一些使用建议:
    - 散热管理:确保电路板的散热设计充分,以避免过高的结温导致的性能下降。
    - 负载条件优化:根据不同的负载条件调整栅极驱动电压,以优化性能。
    - 并联操作:在高电流应用中,考虑将多个MOSFET并联使用,以增加电流承载能力。

    兼容性和支持


    NVMFS5C468N 可与其他常见的电子元器件和系统兼容,支持广泛的工业标准接口。ON Semiconductor 提供详尽的技术支持文档和软件工具,帮助客户快速开发和部署其产品。如有需要,还可以通过官方技术支持渠道获取进一步的帮助。

    常见问题与解决方案


    以下是一些可能遇到的问题及相应的解决方案:
    - 问题:MOSFET温度过高
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如添加散热片或改善空气流动。
    - 问题:栅极驱动电压不正确
    - 解决方案:检查栅极驱动电路,确保正确的驱动电压水平。
    - 问题:漏源电压超出额定值
    - 解决方案:检查系统的设计,确保漏源电压不超过额定值40 V。

    总结和推荐


    总体而言,NVMFS5C468N 是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET,特别适合对能效和空间要求较高的应用场景。其独特的设计特性使其在市场上具有很强的竞争力。因此,强烈推荐将其用于现代电力转换系统的开发中。

NVMFS5C468NT1G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 420pF@25V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 12A,35A
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 3.5W(Ta),28W(Tc)
栅极电荷 7.9nC@ 10 V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10A,10V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 5.1mm(长度)
通用封装 SO-8FL-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5C468NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C468NT1G数据手册

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NVMFS5C468NT1G封装设计

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