处理中...

首页  >  产品百科  >  NVD5862NT4G

NVD5862NT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 4.1W(Ta),115W(Tc) 20V 4V@ 250µA 82nC@ 10 V 1个N沟道 60V 5.7mΩ@ 48A,10V 18A,98A 6nF@25V TO-252 贴片安装
供应商型号: FL-NVD5862NT4G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVD5862NT4G

NVD5862NT4G概述

    NVD5862N Power MOSFET:高性能功率开关

    1. 产品简介


    NVD5862N 是一款由 ON Semiconductor 生产的单个N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。它具有多种优势,使其成为高效率开关电源和直流电机控制等领域的理想选择。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力以及良好的雪崩能量性能,适用于需要高性能、高可靠性的工业和消费类电子产品。

    2. 技术参数


    - 额定电压:60 V(VDSS)
    - 连续漏极电流:在TJ = 25°C时为98 A,在TJ = 100°C时为69 A
    - 功率耗散:在TJ = 25°C时为115 W,在TJ = 100°C时为58 W
    - 瞬态漏极电流:在TJ = 25°C时为367 A
    - 最大温度范围:结温(TJ)和存储温度(Tstg)在-55°C至+175°C之间
    - 阈值电压:在ID = 250 μA时为2.0 V到4.0 V
    - 导通电阻:在VGS = 10 V、ID = 48 A时为4.4 mΩ到5.7 mΩ
    - 栅极电荷:总栅极电荷(QG(TOT))在VGS = 10 V、VDS = 48 V、ID = 48 A时为82 nC

    3. 产品特点和优势


    NVD5862N 的主要优势包括:
    - 低导通电阻:通过最小化导通损耗,提高系统的整体效率。
    - 高电流承载能力:保证在大负载条件下的稳定运行。
    - 雪崩能量规格:提供更强的可靠性,尤其是在极端条件下。
    - 无铅、无卤素和符合RoHS标准:环保设计,适合全球范围内的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    NVD5862N 广泛应用于直流电机驱动、电池充电器、DC-DC转换器等领域。例如,在电动汽车充电桩中,它可以作为高效的开关来调节电压和电流输出,确保充电过程的安全和高效。
    使用建议:
    - 在应用中确保散热良好,以防止过热。
    - 尽量避免长时间处于高温环境中,以免影响器件的长期可靠性。
    - 使用前仔细检查电路设计,确保与周围组件的兼容性。

    5. 兼容性和支持


    - 封装形式:采用DPAK(单引脚散热)封装,便于安装和焊接。
    - 组装位置代码:可选,帮助用户识别生产地点。
    - 包装和运输:以2500个为单位装入卷带并进行卷带封装,方便批量生产和分发。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:器件发热严重,可能损坏。
    - 解决方案:检查散热装置是否正常工作,适当增加散热措施,如散热片或风扇。

    - 问题:器件出现击穿现象。
    - 解决方案:检查输入电压是否超过额定值,调整电路设计,减少过压风险。

    7. 总结和推荐


    NVD5862N 是一款在多种应用场景中表现优异的高性能功率MOSFET。它的低导通电阻和高电流承载能力使得它在各种开关电源应用中表现出色。如果你需要一个高效、可靠且符合环保要求的MOSFET,NVD5862N 将是你的理想选择。强烈推荐在高功率应用中使用此器件。

NVD5862NT4G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
最大功率耗散 4.1W(Ta),115W(Tc)
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5.7mΩ@ 48A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6nF@25V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 82nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 18A,98A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NVD5862NT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVD5862NT4G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVD5862NT4G NVD5862NT4G数据手册

NVD5862NT4G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.6296 ¥ 5.2953
库存: 7933
起订量: 953 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 5.29
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0