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NTMFS4C59NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 760mW(Ta) 20V 2.1V@ 250µA 22.2nC@ 10 V 1个N沟道 30V 5.8mΩ@ 30A,10V 9A,52A 1.252nF@15V SO-FL-8 贴片安装
供应商型号: CY-NTMFS4C59NT1G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4C59NT1G

NTMFS4C59NT1G概述

    NTMFS4C59N MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTMFS4C59N 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于 CPU 电源分配和直流-直流转换器等多种应用。该器件具有低导通电阻、低电容和优化的栅极电荷,旨在最小化传导损耗、驱动损耗和开关损耗。此外,该器件不含铅且符合 RoHS 标准,适合无铅焊接工艺。

    2. 技术参数


    以下是 NTMFS4C59N 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDSS | - | - | 30 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏极电流(稳态) | ID | - | 16.4 | - | A |
    | 功率耗散(稳态) | PD | - | 2.51 | - | W |
    | 单脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 146 | A |
    | 热阻抗(结到壳) | RJC | - | 4.9 | - | °C/W |
    | 热阻抗(结到环境) | RJA | - | 49.8 | - | °C/W |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 5.8 | 4.6 | 8.5 | mΩ |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): NTMFS4C59N 的导通电阻低至 4.6 mΩ,可有效降低导通损耗。
    - 低电容: 内部电容低,有助于减少驱动损耗。
    - 优化的栅极电荷: 优化的总栅极电荷有助于降低开关损耗。
    - RoHS 和无铅标准: 环保设计,适用于现代电子产品。

    4. 应用案例和使用建议


    NTMFS4C59N 在 CPU 电源分配和直流-直流转换器中表现出色。例如,在 CPU 电源分配中,它可以有效地降低热耗散,提高能效;在直流-直流转换器中,其低导通电阻和低电容特性使其在高频应用中表现卓越。
    使用建议:
    - 使用散热片以提高散热效果,特别是在高功率应用中。
    - 确保电路布局合理,避免引线过长,减少寄生电感和电容。
    - 在使用过程中定期检测温度,确保不会超过最大工作温度范围。

    5. 兼容性和支持


    NTMFS4C59N 可以与其他符合 SO-8 FL 封装标准的电子元器件兼容。ON Semiconductor 提供详细的技术文档和客户支持服务,包括技术支持热线和技术文档下载。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 温度超出范围导致损坏。
    - 解决方案: 定期检查温度,确保不超过最大工作温度(-55°C 至 +150°C)。

    - 问题: 开关损耗过高。
    - 解决方案: 使用优化的栅极电阻来降低开关损耗。

    - 问题: 驱动电压不稳定。
    - 解决方案: 确保驱动电路稳定,避免电压波动。

    7. 总结和推荐


    NTMFS4C59N 是一款高性能的功率 MOSFET,具有低导通电阻、低电容和优化的栅极电荷,特别适合 CPU 电源分配和直流-直流转换器等应用。综合来看,它的优异性能和广泛的适用性使得它成为同类产品中的佼佼者。因此,强烈推荐在相关项目中使用该器件。

NTMFS4C59NT1G参数

参数
Id-连续漏极电流 9A,52A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.252nF@15V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 5.8mΩ@ 30A,10V
栅极电荷 22.2nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
最大功率耗散 760mW(Ta)
通道数量 1
通用封装 SO-FL-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS4C59NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4C59NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS4C59NT1G NTMFS4C59NT1G数据手册

NTMFS4C59NT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.214 ¥ 1.8421
1000+ $ 0.208 ¥ 1.7576
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