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NVMFS5C442NLAFT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.7W(Ta),83W(Tc) 20V 2V@ 250µA 50nC@ 10 V 1个N沟道 40V 2.5mΩ@ 50A,10V 29A,130A 3.1nF@25V SO-FL-8 贴片安装
供应商型号: Q-NVMFS5C442NLAFT3G
供应商: 期货订购
标准整包数: 5000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C442NLAFT3G

NVMFS5C442NLAFT3G概述

    MOSFET - Power, Single N-Channel DFN5/DFNW5

    1. 产品简介


    N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高效能的开关元件,适用于多种电子应用。本款MOSFET是单个N-Channel型号,采用DFN5(5x6 mm)封装。它以其紧凑设计、低导通电阻和低驱动损耗等特点,在功率管理电路、电池管理系统和电机驱动系统等领域得到广泛应用。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 40 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 连续漏极电流(Tc=25°C) | ID | 130 | A |
    | 连续漏极电流(Tc=100°C) | ID | 95 | A |
    | 功率耗散(Tc=25°C) | PD | 83 | W |
    | 功率耗散(Tc=100°C) | PD | 42 | W |
    | 单脉冲漏极脉冲电流(Ta=25°C) | IDM | 900 | A |
    | 最大结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 to +175 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 小尺寸封装:占用空间仅5x6mm,适用于紧凑型设计。
    - 低RDS(on):最小化导通损耗,典型值为2.5mΩ@10V,保证高效率。
    - 低QG和电容:最小化驱动损耗,支持快速开关操作。
    - 湿可焊边选项:NVMFS5C442NLWF具有湿可焊边功能,增强光学检测。
    - AEC-Q101认证:适用于汽车级应用。
    - 环保材料:无铅且符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电动汽车:用于电池管理系统中的开关元件。
    - 工业控制:用于电机驱动系统的开关和保护。
    - 消费电子:应用于充电器和适配器中,实现高效的电力转换。
    使用建议:
    - 优化散热设计:由于较高的连续漏极电流,需确保良好的热管理,以避免因过热而损坏。
    - 合理选择驱动电路:鉴于较低的栅极电荷,建议选用具有高驱动能力的栅极驱动器,以确保快速开关。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:支持主流PCB制造工艺,适用于标准的FR4板材。
    - 支持和维护:厂商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户进行设计和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热损坏 | 改善散热设计,增加散热片或散热器。 |
    | 开关速度慢 | 选用适当的栅极驱动器,提高驱动电流。 |
    | 漏电流过高 | 确保正确连接栅极,检查驱动信号完整性。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    这款N-Channel MOSFET凭借其出色的导通特性和低驱动损耗,特别适合需要高效电力转换的应用场合。其紧凑的设计和良好的散热性能使其成为许多领域的理想选择。
    推荐:
    我们强烈推荐使用这款MOSFET。它不仅具备优异的电气性能,还通过了严格的AEC-Q101认证,适用于多种工业和汽车应用。尽管初期成本可能略高,但其卓越的性能和长久的使用寿命将为您的项目带来长期回报。

NVMFS5C442NLAFT3G参数

参数
通道数量 1
最大功率耗散 3.7W(Ta),83W(Tc)
Id-连续漏极电流 29A,130A
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5mΩ@ 50A,10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.1nF@25V
栅极电荷 50nC@ 10 V
配置 独立式
通用封装 SO-FL-8
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

NVMFS5C442NLAFT3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C442NLAFT3G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C442NLAFT3G NVMFS5C442NLAFT3G数据手册

NVMFS5C442NLAFT3G封装设计

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