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FQD4N50TF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta),45W(Tc) 30V 5V@ 250µA 13nC@ 10 V 1个N沟道 500V 2.7Ω@ 1.3A,10V 2.6A 460pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: CY-FQD4N50TF
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQD4N50TF

FQD4N50TF概述


    产品简介


    FQD4N50 是由Fairchild Semiconductor生产的一种500V N沟道QFET(Quick Field Effect Transistor)器件。这款器件采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术制造,适用于高效开关电源、功率因数校正及半桥式电子灯管镇流器等多种应用场合。它以其高效率、低功耗和快速切换性能而著称。

    技术参数


    以下是FQD4N50的技术规格参数:
    - 额定电压:500V
    - 最大漏极电流:2.6A
    - 导通电阻:RDS(on) = 2.7Ω (当VGS = 10V时)
    - 栅极电荷:典型值为10nC
    - 反向传输电容:典型值为6.0pF
    - 工作温度范围:未明确,但一般情况下可参考类似器件的工作范围
    - 封装形式:TO-252(DPAK),引脚数量为2

    产品特点和优势


    FQD4N50具有以下显著的特点和优势:
    - 低导通电阻:在10V栅极驱动下,导通电阻仅为2.7Ω,确保较低的功耗。
    - 低栅极电荷:典型值为10nC,有助于降低开关损耗,提高系统整体效率。
    - 快速切换性能:得益于低栅极电荷和反向传输电容的特性,该器件可以实现快速开关。
    - 抗脉冲冲击能力强:经过100%雪崩测试,能够在瞬态状态下承受高能量脉冲。
    - 增强dv/dt能力:提供更好的动态响应性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FQD4N50广泛应用于需要高效率的电源管理领域,包括但不限于:
    - 开关电源:用于高频开关电源的设计,以提高转换效率。
    - 功率因数校正:用于改善交流到直流转换过程中的功率因数。
    - 半桥式电子灯管镇流器:确保电子镇流器在照明应用中的稳定运行。
    使用建议
    在使用FQD4N50时,应注意以下几点:
    - 散热设计:由于导通电阻的存在,器件在大电流工作时会发热,需合理设计散热方案,避免过热。
    - 电路布局:电路板布局时,尽量缩短源极和漏极的走线距离,以减少寄生电感,提高可靠性。
    - 栅极驱动:使用合适的栅极驱动电路,确保栅极电压能快速充放电,从而提升开关速度。

    兼容性和支持


    FQD4N50采用了标准的TO-252封装,易于与其他电子元件兼容。Fairchild Semiconductor提供了详尽的技术文档和样品请求服务,同时也设有专门的客户支持团队和技术文档支持,确保用户在使用过程中遇到问题能够得到及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确保器件不被静电损坏?
    - 解决方案:在焊接和组装过程中,务必使用防静电手环,并将电路板存放在防静电包装袋内。

    - 问题:器件在高温环境下工作,功耗是否会增加?
    - 解决方案:在高温环境下,器件的导通电阻会略微增大,导致功耗增加。建议通过加强散热措施来缓解这一问题。

    总结和推荐


    FQD4N50是一款高性能的N沟道QFET器件,具有低导通电阻、快速开关能力和优良的抗脉冲冲击能力。其广泛的适用范围和可靠的表现使其成为众多高效率电力转换应用的理想选择。对于需要高效能、低功耗且高可靠性的电路设计者而言,FQD4N50是一个值得考虑的优秀选项。建议在涉及开关电源、功率因数校正和半桥式电子灯管镇流器等领域时优先考虑使用。

FQD4N50TF参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 13nC@ 10 V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 500V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 460pF@25V
最大功率耗散 2.5W(Ta),45W(Tc)
Id-连续漏极电流 2.6A
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7Ω@ 1.3A,10V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FQD4N50TF厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQD4N50TF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQD4N50TF FQD4N50TF数据手册

FQD4N50TF封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.3495 ¥ 3.008
500+ $ 0.3463 ¥ 2.9807
1000+ $ 0.3366 ¥ 2.8439
5000+ $ 0.3366 ¥ 2.8439
库存: 2126
起订量: 333 增量: 1
交货地:
最小起订量为:300
合计: ¥ 902.4
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