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NDS356AP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 500mW(Ta) 20V 2.5V@ 250µA 4.4nC@ 5 V 1个P沟道 30V 200mΩ@ 1.3A,10V 1.1A 280pF@10V SOT-23-3 贴片安装 2.92mm*1.4mm*950μm
供应商型号: 14M-NDS356AP
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDS356AP

NDS356AP概述


    产品简介


    NDS356AP P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
    NDS356AP 是一种由 ON Semiconductor 生产的超级表面贴装技术(SuperSOT™-3)P 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管。它特别适用于低电压应用,如笔记本电脑电源管理、便携式电子产品和其他电池供电电路。该晶体管能够实现快速高侧开关操作,并且具有极低的导通电阻(RDS(ON)),在紧凑的表面贴装封装内提供了卓越的热和电气性能。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):-30 V
    - 栅源电压(VGSS):连续±20 V
    - 最大漏电流(ID):连续 -1.1 A,脉冲 ±10 A
    - 最大功率耗散(PD):0.5 W
    - 工作和存储温度范围(TJ, TSTG):-55°C 至 150°C
    - 热阻(RθJA):250°C/W
    - 结点到外壳热阻(RθJC):75°C/W
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS):-30 V
    - 零栅电压漏电流(IDSS):-1 µA(TJ = 55°C)
    - 门体漏电(IGSSF):100 nA(VGS = 20 V)
    - 导通栅电流(ID(ON)):-3 A
    - 开启延迟时间(tD(on)):8-15 ns
    - 关断延迟时间(tD(off)):53-90 ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:在 VGS=-4.5 V 时,RDS(ON) 为 0.3Ω;在 VGS=-10 V 时,RDS(ON) 为 0.2Ω,使得能效更高。
    - 高密度单元设计:确保了极低的导通电阻。
    - 适用于低电压应用:例如笔记本电脑电源管理和便携式电子产品,提供高效的开关操作。
    - 快速开关:具备良好的动态特性,包括快速的开启和关断时间。
    - 优越的热和电气性能:采用标准 SOT-23 封装,具备良好的散热能力。

    应用案例和使用建议


    NDS356AP 广泛应用于各种低电压、高效率的应用场景,如笔记本电脑的电源管理、便携式设备等。这些设备通常需要快速、高效的开关操作以提高整体能效。
    使用建议:
    - 在选择合适的 PCB 布局时,应注意增加铜垫面积以提高热传导性能,减少器件过热。
    - 在高速开关应用中,需要注意并减小引线寄生电容对系统的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NDS356AP 采用标准 SOT-23 封装,易于与其他标准组件集成。
    - 支持:ON Semiconductor 提供了详尽的技术支持和文档,以帮助用户更好地理解和使用该产品。客户可以通过电话、邮件或官方网站获取帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过热问题。
    - 解决方案:确保适当的散热设计,比如增加铜垫面积以提高热传导性能。

    - 问题2:导通电阻偏高。
    - 解决方案:检查 VGS 设置,确保达到推荐的工作条件。

    总结和推荐


    总结:
    NDS356AP P 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管是一款高效能的器件,尤其适用于低电压应用场合。其低导通电阻、快速开关能力和高可靠性使其在众多应用中表现出色。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛的应用场景,NDS356AP 是一个值得推荐的产品,特别是在需要高效、可靠的低电压开关应用中。用户在使用过程中,应结合具体应用场景进行合理的布局设计,并遵循厂家的指导建议,以充分发挥其潜力。

NDS356AP参数

参数
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 1.1A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 1.3A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 280pF@10V
最大功率耗散 500mW(Ta)
栅极电荷 4.4nC@ 5 V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
长*宽*高 2.92mm*1.4mm*950μm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NDS356AP厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDS356AP数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NDS356AP NDS356AP数据手册

NDS356AP封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.0442
10+ ¥ 3.6754
30+ ¥ 2.8786
100+ ¥ 2.5454
300+ ¥ 2.4503
3000+ ¥ 2.379
库存: 1486
起订量: 1 增量: 3000
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