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FDD5690

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),50W(Tc) 20V 4V@ 250µA 32nC@ 10 V 1个N沟道 60V 27mΩ@ 9A,10V 30A 1.11nF@25V TO-252AA 贴片安装
供应商型号: FL-FDD5690
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD5690

FDD5690概述


    产品简介


    本产品为FDD5690,是一款由ON Semiconductor生产的60V N-Channel PowerTrench® MOSFET。这类MOSFET具有出色的电气特性和高可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关应用等领域。产品具备高击穿电压、低导通电阻(RDS(on))以及良好的热性能,使其成为高性能电子系统设计的理想选择。

    技术参数


    - 最大源极-漏极电压(VDSS): 60V
    - 最大栅极-源极电压(VGSS): ±20V
    - 连续最大漏极电流(ID): 30A
    - 脉冲最大漏极电流(ID): 100A
    - 最大功耗(PD): 50W (TA = 25°C)
    - 热阻抗(RθJC): 2.5°C/W (结到外壳)
    - 热阻抗(RθJA): 40°C/W (结到环境)
    - 工作和存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 输入电容(Ciss): 1110pF
    - 输出电容(Coss): 150pF
    - 反向转移电容(Crss): 75pF
    - 总栅极电荷(Qg): 23-32nC
    - 最大连续漏源二极管正向电流(IS): 2.3A
    - 漏源二极管正向电压(VSD): 0.75-1.2V (VGS = 0V, IS = 2.3A)

    产品特点和优势


    FDD5690具备以下特点和优势:
    - 高击穿电压:提供高达60V的电压等级,适用于多种高电压应用场景。
    - 低导通电阻(RDS(on)):最小值为0.023Ω,在VGS = 10V, ID = 9A条件下,确保了高效的功率转换。
    - 良好的热稳定性:热阻抗低,有助于保持稳定的性能和延长使用寿命。
    - 高速开关能力:快速的开关速度(如td(on)=10ns,tr=9ns)可减少开关损耗,提高能效。
    - 宽工作温度范围:能够在极端环境下稳定工作,适用于各种恶劣条件。

    应用案例和使用建议


    应用案例:这款MOSFET常用于电源管理电路中,作为开关器件使用。例如,在DC-DC转换器中作为降压或升压转换器的核心组件,以实现高效能的电压转换。
    使用建议:
    - 在高频应用中,由于其快速的开关速度,应适当减小栅极电阻以降低开关损耗。
    - 在高温环境下使用时,应特别注意散热措施,确保MOSFET的热稳定性。

    兼容性和支持


    FDD5690采用了标准的TO-252封装形式,易于与各类电源管理系统集成。厂商提供了详尽的技术支持文档和测试数据,以帮助工程师顺利进行产品选型和应用设计。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高频开关应用中,开关损耗较大。
    - 解决方案:可以通过增加栅极电阻来减慢开关速度,从而减少损耗。
    - 问题:在高温环境下工作时,MOSFET性能下降。
    - 解决方案:使用外置散热片或者加强散热措施,确保工作温度在允许范围内。

    总结和推荐


    FDD5690凭借其优秀的电气特性和广泛的适用范围,在电源管理和电机驱动等领域展现出强大的竞争力。特别是在需要高可靠性、高效能的场合下,该产品是一个非常值得推荐的选择。ON Semiconductor提供了全面的支持和详细的文档资料,确保用户能够顺利使用并发挥其最佳性能。总体来说,FDD5690是一款非常适合高性能应用需求的MOSFET产品。

FDD5690参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.11nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@ 9A,10V
栅极电荷 32nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 30A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 3.2W(Ta),50W(Tc)
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDD5690厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD5690数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDD5690 FDD5690数据手册

FDD5690封装设计

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