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FDD26AN06A0

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 75W(Tc) 20V 4V@ 250µA 17nC@ 10V 1个N沟道 60V 26mΩ@ 36A,10V 36A 800pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: CY-FDD26AN06A0
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD26AN06A0

FDD26AN06A0概述

    FDD26AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDD26AN06A0 是一款高性能的 N-Channel PowerTrench® MOSFET,由 Fairchild Semiconductor 公司生产。它具备多种应用功能,例如电机/车身负载控制、防抱死制动系统(ABS)、动力传动管理、喷射系统、直流-直流转换器及离线不间断电源(UPS)等。此 MOSFET 的典型导通电阻为 20mΩ,适用于需要高电流处理能力和低导通损耗的应用场景。

    2. 技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 60V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 25°C, VGS = 10V 时:36A
    - 100°C, VGS = 10V 时:25A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 35mJ
    - 功率耗散 (PD): 75W
    - 热阻 (RθJA): 100°C/W
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 到 175°C
    电气特性
    - 导通电阻 (rDS(ON)): 20mΩ (典型值)
    - 总栅极电荷 (Qg(TOT)): 13nC (典型值)
    - 反向恢复时间 (trr): 43ns
    - 反向恢复电荷 (QRR): 50nC

    3. 产品特点和优势


    FDD26AN06A0 在设计上注重低导通电阻 (rDS(ON)) 和低栅极电荷 (Qg),这使其在高频应用中表现出色。它的低米勒电荷 (Low Miller Charge) 特性有助于减少开关损耗,提高效率。此外,这款 MOSFET 具备单脉冲和重复脉冲雪崩能力,非常适合在严苛环境下使用。经过 AEC-Q101 认证,确保了其在汽车应用中的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    FDD26AN06A0 在多种场合中被广泛应用,如电动汽车的电机控制和电池管理系统,以及其他需要高效功率转换的应用。这些场合要求电子设备能够在极端条件下稳定运行,而 FDD26AN06A0 的设计正是为了满足这些需求。
    使用建议
    1. 散热管理:由于高功率耗散,散热是使用 FDD26AN06A0 时需要考虑的关键因素。建议使用大面积铜箔或外部散热器来优化热管理。
    2. PCB 布局:合理的 PCB 布局有助于减小寄生电感和电容,从而提升开关性能。尤其是栅极驱动走线应尽量短以减少噪声干扰。
    3. 驱动电路设计:适当的设计栅极驱动电路可以进一步降低功耗并提高整体效率。

    5. 兼容性和支持


    FDD26AN06A0 支持与广泛的产品和技术进行集成。对于设计者而言,可以通过参考设计和应用笔记获得必要的支持。Fairchild Semiconductor 提供了详细的电气模型(PSPICE 和 SABER),便于模拟和验证设计。

    6. 常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    1. 过热问题
    - 问题:设备过热。
    - 解决方案:检查散热机制是否有效,确保安装良好的散热片或采用更大的铜箔面积。
    2. 开关速度问题
    - 问题:开关速度不理想。
    - 解决方案:优化 PCB 设计,缩短栅极驱动线路长度,避免过多的寄生电感。
    3. 电气参数异常
    - 问题:观察到电气参数异常。
    - 解决方案:确认所有连接都正确无误,并检查电路中的杂散电感和电容是否影响正常操作。

    7. 总结和推荐


    FDD26AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能、多功能的产品,在众多工业应用中展现出卓越的性能。它的低导通电阻、低栅极电荷和出色的雪崩耐受性使得它在需要高效能转换的应用中脱颖而出。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师们。

FDD26AN06A0参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 75W(Tc)
Id-连续漏极电流 36A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 800pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 26mΩ@ 36A,10V
栅极电荷 17nC@ 10V
通道数量 1
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDD26AN06A0厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD26AN06A0数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDD26AN06A0 FDD26AN06A0数据手册

FDD26AN06A0封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.8098 ¥ 6.9688
300+ $ 0.8024 ¥ 6.906
500+ $ 0.795 ¥ 6.8432
1000+ $ 0.7727 ¥ 6.5293
5000+ $ 0.7727 ¥ 6.5293
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