处理中...

首页  >  产品百科  >  NTD4963NT4G

NTD4963NT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.1W(Ta),35.7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 16.2nC@ 10 V 1个N沟道 30V 9.6mΩ@ 30A,10V 44A 1.035nF@12V TO-252 贴片安装
供应商型号: CEI-NTD4963NT4G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD4963NT4G

NTD4963NT4G概述

    NTD4963N Power MOSFET:技术手册概述

    1. 产品简介


    NTD4963N 是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),专为高效率和低功耗的应用设计。主要功能包括极低的导通电阻(RDS(on))以减少传导损耗、低电容以降低驱动损耗、优化的栅极电荷以减小开关损耗。NTD4963N 支持三种封装形式:DPAK、IPAK(弯脚和直脚),提供卓越的设计灵活性。
    主要应用领域涵盖 CPU 电源传输、直流-直流转换器及高边控制等。该产品特别适用于需要高效能、低损耗以及良好温度稳定性的应用场景。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDSS):30 V
    - 连续漏极电流(ID):10.0 A (TA = 25°C);7.2 A (TA = 85°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):132 A
    - 最大工作结温和存储温度(TJ, TSTG):-55 至 +175°C
    - 断态漏源击穿电压(V(BR)DSS):30 V
    - 阈值电压(VGS(TH)):1.45 至 2.5 V
    - 导通电阻(RDS(on)):8.2 mΩ (VGS = 10 V, ID = 30 A);13.6 mΩ (VGS = 4.5 V, ID = 30 A)
    此外,该器件还具有低输入电容(CISS)、低输出电容(COSS)及低反向转移电容(CRSS),并提供了针对总栅极电荷(QG(TOT))的详细数据,确保其具备优异的开关性能。

    3. 产品特点和优势


    - 低 RDS(on):最小化导通损耗
    - 低电容特性:降低驱动损耗
    - 优化栅极电荷:减少开关损耗
    - 多种封装选择:提供 DPAK 和 IPAK(弯脚和直脚),增强设计灵活性
    NTD4963N 的这些特点使其成为高效电源管理及控制应用的理想选择,特别是在对热性能要求较高的环境中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    - CPU 电源传输:NTD4963N 可用于服务器和笔记本电脑等设备中的 CPU 电源系统,通过其高效的电源管理和转换能力提升整体系统性能。
    - 直流-直流转换器:该器件适用于各种直流-直流转换器设计,可提高转换效率并降低能耗。
    使用建议:
    - 在实际应用中,考虑将该器件安装在具有良好散热性能的 PCB 板上,以避免过热。
    - 注意栅极驱动电路的设计,合理设置栅极电阻,以实现快速且稳定的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTD4963N 与现有的标准电路板设计高度兼容,可通过不同类型的引脚布局灵活配置。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和专业支持服务,包括在线资源和技术咨询,帮助用户更有效地使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确保正确的安装和焊接?
    解答:确保遵循手册中的安装指南,使用合适的焊接工艺并进行适当的检查,确保器件正确安装在 PCB 上。
    - 问题二:如何优化其在高压转换中的性能?
    解答:合理调整驱动信号的频率和电压,避免超出最大额定值,同时注意散热管理。

    7. 总结和推荐


    总结:
    NTD4963N Power MOSFET 展现了卓越的性能特点和广泛的应用潜力,特别是在低损耗和高效能需求方面表现突出。凭借其广泛的封装选项和强大技术支持,它成为现代电源管理系统和工业控制应用的理想选择。
    推荐:
    对于寻求高效、可靠且易于集成的高性能功率 MOSFET 设计,NTD4963N 是一个非常理想的选择。无论是在 CPU 电源传输还是直流-直流转换器设计中,它都展示了出色的性能,值得在各种电力转换和控制系统中推广使用。

NTD4963NT4G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 9.6mΩ@ 30A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 1.1W(Ta),35.7W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 44A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.035nF@12V
配置 独立式
栅极电荷 16.2nC@ 10 V
通道数量 1
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.38mm(Max)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NTD4963NT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD4963NT4G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTD4963NT4G NTD4963NT4G数据手册

NTD4963NT4G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.351 ¥ 2.966
1000+ $ 0.299 ¥ 2.5266
库存: 15
起订量: 843 增量: 1
交货地:
最小起订量为:500
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336