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NVMFS5C426NWFAFT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8W(Ta),128W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 65nC@ 10 V 1个N沟道 40V 1.3mΩ@ 50A,10V 41A,235A 4.3nF@25V SO-FL-8 贴片安装
供应商型号: Q-NVMFS5C426NWFAFT3G
供应商: 期货订购
标准整包数: 5000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C426NWFAFT3G

NVMFS5C426NWFAFT3G概述

    NVMFS5C426N MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    NVMFS5C426N 是一种单通道 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 DFN5/DFNW5 封装。它特别适用于紧凑设计的应用场合,因其具有低导通电阻(RDS(on))以减少导通损耗、低栅极电荷(QG)以减少驱动损耗的特点。该器件通过了 AEC-Q101 资格认证,并且具备湿可焊边选项,以增强光学检查效果。此外,这款器件无铅且符合 RoHS 标准,是一款高性能的功率 MOSFET。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):40 V
    - 漏极电流(ID):235 A(TC=25°C),166 A(TC=100°C)
    - 导通电阻(RDS(on)):1.3 mΩ(@10 V)
    - 最大热阻抗(RJA):39°C/W
    - 额定脉冲漏极电流(IDM):900 A(tp=10 μs)
    - 存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +175°C
    - 硬件焊接温度(TL):260°C
    - 电气特性
    - 零门限电压漏极电流(IDSS):10 μA(TJ=25°C),100 μA(TJ=125°C)
    - 栅极-源极漏电流(IGSS):100 nA(VDS=0 V,VGS=20 V)
    - 开启门限电压(VGS(TH)):2.5 V 至 3.5 V(@ID=170 μA)
    - 正向二极管电压(VSD):0.82 V 至 1.2 V(@ID=50 A)

    3. 产品特点和优势


    - 小封装尺寸:5x6 mm 的小尺寸使得该器件适用于空间受限的设计。
    - 低 RDS(on):仅为 1.3 mΩ,显著降低了导通损耗。
    - 低栅极电荷:低 QG 减少了驱动损耗。
    - 湿可焊边选项:提供了湿可焊边选项,增强了光学检查效果。
    - 符合 AEC-Q101 和 PPAP 规范:确保其适用于汽车和其他严格要求的应用。
    - 环保标准:无铅且符合 RoHS 标准。

    4. 应用案例和使用建议


    NVMFS5C426N MOSFET 主要用于需要高效转换和节能的应用,例如电动汽车、混合动力汽车、太阳能逆变器和各种工业控制系统。建议在选择此器件时考虑其额定参数,并确保在最高工作温度下的性能稳定。
    - 应用示例:在直流电机驱动电路中,它可以有效地控制电流和降低损耗。
    - 使用建议:在高电流应用中,确保散热措施得当,避免过热问题。

    5. 兼容性和支持


    该器件与现有的许多 DFN5/DFNW5 封装兼容,可以轻松集成到现有系统中。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括全面的数据手册、技术咨询和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定正确的驱动电压?
    - 解答:参考数据手册中的开启门限电压(VGS(TH))来选择合适的驱动电压。
    - 问题2:如何处理热问题?
    - 解答:使用足够的散热片并确保良好的空气流通,或者考虑使用热管来提高热管理效率。

    7. 总结和推荐


    NVMFS5C426N 是一款高效且可靠的产品,适用于需要紧凑设计和高效率的应用场合。其低 RDS(on) 和低栅极电荷特性使其在多种应用场景中表现出色。综上所述,强烈推荐该产品用于需要高效率和可靠性设计的场合。

NVMFS5C426NWFAFT3G参数

参数
最大功率耗散 3.8W(Ta),128W(Tc)
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 40V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3mΩ@ 50A,10V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 65nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.3nF@25V
Id-连续漏极电流 41A,235A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SO-FL-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5C426NWFAFT3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C426NWFAFT3G数据手册

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NVMFS5C426NWFAFT3G封装设计

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