处理中...

首页  >  产品百科  >  FDD6770A

FDD6770A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.7W(Ta),65W(Tc) 20V 3V@ 250µA 47nC@ 10 V 1个N沟道 25V 4mΩ@ 24A,10V 27A 2.405nF@13V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: CY-FDD6770A
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD6770A

FDD6770A概述

    FDD6770A N-Channel PowerTrench® MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    产品类型: FDD6770A 是一款N沟道PowerTrench® MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
    主要功能: 专门设计用于提高DC/DC转换器的效率,支持同步或传统开关PWM控制器。
    应用领域: 主要应用于桌面计算机和服务器的Vcore DC-DC转换,VRM(电压调节模块)的中间总线架构。

    2. 技术参数


    - 最大击穿电压 (BVDSS): 25 V
    - 零栅极电压漏电流 (IDSS): 1 µA
    - 栅极至源极漏电流 (IGSS): ±100 nA
    - 栅极至源极阈值电压 (VGS(th)): 1.0 至 3.0 V
    - 静态漏源导通电阻 (rDS(on)):
    - 在VGS=10 V, ID=24 A时为2.9至4.0 mΩ
    - 在VGS=4.5 V, ID=18.4 A时为5.9至8.0 mΩ
    - 栅极电荷 (Qg):
    - 从0 V到10 V: 33至47 nC
    - 从0 V到5 V: 18至26 nC
    - 正向传输电容 (Ciss): 1805至2405 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 354至535 pF
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 4至10 nC
    - 反向恢复时间 (trr): 16至28 ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (rDS(on)): 最大值仅为4.0 mΩ,保证高效能。
    - 高击穿电压 (BVDSS): 25 V确保设备在高压环境下稳定运行。
    - 快速开关速度: 降低损耗,提升系统效率。
    - 完全符合RoHS标准, 确保环保。

    4. 应用案例和使用建议


    - 桌面计算机和服务器的Vcore DC-DC转换: 由于低rDS(on)和快速开关速度,FDD6770A在电源管理方面表现优异,可有效提升整体系统效率。
    - VRM中间总线架构: 适用于复杂供电需求,能够实现更灵活的电源管理。

    使用建议:
    - 避免超过规定的最大额定值,特别是在高温条件下。
    - 确保适当的散热措施,特别是当功耗较高时。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与多种DC/DC转换器兼容,易于集成到现有系统。
    - 支持: Fairchild Semiconductor提供详尽的技术文档和专业技术支持,帮助客户更好地使用和维护产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 高温下的效率下降
    - 解决方案: 使用适当的散热器和PCB布局,确保良好的热传导。
    - 问题: 过高的漏电流
    - 解决方案: 检查并确保所有连接点的可靠性,防止接触不良。

    7. 总结和推荐


    综合评估: FDD6770A N-Channel PowerTrench® MOSFET凭借其低导通电阻、快速开关速度及出色的温度稳定性,在DC/DC转换器的应用中表现出色,是一款值得推荐的高性能器件。
    推荐使用: 对于需要高效能和稳定性要求高的应用场景,强烈推荐使用FDD6770A。

FDD6770A参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 24A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3.7W(Ta),65W(Tc)
Id-连续漏极电流 27A
Vds-漏源极击穿电压 25V
配置 独立式
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.405nF@13V
栅极电荷 47nC@ 10 V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDD6770A厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD6770A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDD6770A FDD6770A数据手册

FDD6770A封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.615 ¥ 5.2924
300+ $ 0.6094 ¥ 5.2447
500+ $ 0.6038 ¥ 5.1971
1000+ $ 0.5868 ¥ 4.9587
5000+ $ 0.5868 ¥ 4.9587
库存: 3546
起订量: 189 增量: 1
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 529.24
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336