处理中...

首页  >  产品百科  >  FDMC7678

FDMC7678

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.3W(Ta),31W(Tc) 20V 3V@ 250µA 39nC@ 10 V 1个N沟道 30V 5.3mΩ@ 17.5A,10V 17.5A,19.5A 2.41nF@15V MLP-8 贴片安装 3.2mm(长度)*3.2mm(宽度)
供应商型号: FL-FDMC7678
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMC7678

FDMC7678概述

    FDMC7678 MOSFET – N-Channel, POWERTRENCH

    产品简介


    FDMC7678是一款采用onsemi先进的POWERTRENCH®工艺制造的N沟道MOSFET。这款MOSFET特别优化了低导通电阻(on-state resistance),适用于电源管理和负载开关等应用,广泛应用于笔记本电脑和便携式电池组等领域。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):30 V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):19.5 A
    - 脉冲漏极电流 (ID):70 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):54 mJ
    - 热阻(结到外壳) (RθJC):4.0 °C/W
    - 热阻(结到环境) (RθJA):53 °C/W
    - 静态漏源导通电阻 (rDS(on))
    - 在VGS=10 V,ID=17.5 A时为5.3 mΩ
    - 在VGS=4.5 V,ID=15.0 A时为6.8 mΩ
    - 门电阻 (Rg):0.7 - 2.5 Ω
    - 门电荷 (Qg):28 - 39 nC
    - 输入电容 (Ciss):1810 - 2410 pF
    - 输出电容 (Coss):620 - 820 pF
    - 反向传输电容 (Crss):75 - 110 pF

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: FDMC7678在不同工作条件下的导通电阻非常低,特别是在高电流条件下,例如在VGS=10 V,ID=17.5 A时,其rDS(on)仅为5.3 mΩ。
    - 高性能技术: 采用POWERTRENCH®工艺,使得该MOSFET具有更高的性能和更低的损耗。
    - 环保材料: 铅(Pb)自由、卤素自由且符合RoHS标准,适合现代绿色电子应用。
    - 高温性能稳定: 最大工作温度范围为-55°C至+150°C,确保在各种极端环境下正常运行。

    应用案例和使用建议


    FDMC7678 MOSFET非常适合用于以下应用场景:
    - DC-DC降压转换器: 由于其低导通电阻和高效率,可有效减少能量损失。
    - 笔记本电脑电池管理: 可以提供高效可靠的电源管理,延长电池寿命。
    - 笔记本电脑中的负载开关: 具有快速响应时间,可以迅速切换负载,提高系统的响应速度。
    使用建议:
    - 在高频应用中: 选择合适的驱动电阻,确保门电荷的充放电时间足够短,以减小开关损耗。
    - 散热设计: 注意在高功率应用中做好散热措施,以保证器件的安全运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: FDMC7678采用WDFN8封装,尺寸为3.3x3.3 mm,针脚间距为0.65 mm。这种封装方式易于安装和集成,适用于多种电路板设计。
    - 支持: onsemi提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 如何提高系统效率?
    - 确保MOSFET的工作电压在最优范围内,如VGS=10 V时。
    - 使用合适的驱动电阻,以确保开关速度快且稳定。
    2. 如何优化散热设计?
    - 使用较大的散热片或散热器,并确保良好的热传导路径。
    - 在PCB设计中增加铜箔面积,以提高热耗散效果。
    3. 如何避免MOSFET过载损坏?
    - 确保不超过其额定电流和电压。
    - 使用保护电路来监控和控制电流。

    总结和推荐


    FDMC7678 N沟道MOSFET凭借其出色的导通电阻、低损耗和广泛的适用范围,在电源管理和负载开关应用中表现出色。其环保设计和高效能使其成为当前市场上的一款优秀产品。我们强烈推荐该产品给需要高性能、高可靠性的电源管理应用。

FDMC7678参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 2.3W(Ta),31W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 5.3mΩ@ 17.5A,10V
栅极电荷 39nC@ 10 V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.41nF@15V
配置 独立式withbuilt-indiode
Id-连续漏极电流 17.5A,19.5A
长*宽*高 3.2mm(长度)*3.2mm(宽度)
通用封装 MLP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 商用级
包装方式 散装,卷带包装

FDMC7678厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMC7678数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMC7678 FDMC7678数据手册

FDMC7678封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.3683 ¥ 3.0972
库存: 345999
起订量: 1630 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 3.09
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336