处理中...

首页  >  产品百科  >  FDD8424H

FDD8424H

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N/P沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=40 V, 6.5 A,9 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 5引脚
供应商型号: 30C-FDD8424H TO-252-4L
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDD8424H

FDD8424H概述

    FDD8424H Dual N & P-Channel PowerTrench® MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDD8424H 是一款由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产的双 N 沟道和 P 沟道增强模式功率 MOSFET。这种器件通过先进的PowerTrench工艺制造,旨在降低导通电阻的同时保持优越的开关性能。主要应用于逆变器和H桥电路等场合。

    2. 技术参数


    以下是FDD8424H的技术规格和性能参数:
    - 最大导通电阻:
    - N沟道:\( V{GS} = 10V \), \( ID = 9.0A \)时,\( R{DS(on)} = 24m\Omega \)
    - N沟道:\( V{GS} = 4.5V \), \( ID = 7.0A \)时,\( R{DS(on)} = 30m\Omega \)
    - P沟道:\( V{GS} = -10V \), \( ID = -6.5A \)时,\( R{DS(on)} = 54m\Omega \)
    - P沟道:\( V{GS} = -4.5V \), \( ID = -5.6A \)时,\( R{DS(on)} = 70m\Omega \)
    - 电气特性:
    - 击穿电压:
    - N沟道:\( V{DS} = 40V \)
    - P沟道:\( V{DS} = -40V \)
    - 栅极-源极电压:±20V
    - 连续漏极电流:
    - N沟道:20A
    - P沟道:-20A
    - 热特性:
    - 热阻:
    - N沟道:\( R{\theta JC} = 4.1^\circ C/W \)
    - P沟道:\( R{\theta JC} = 3.5^\circ C/W \)
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:即使在较低的栅极电压下也能实现极低的导通电阻。
    - 快速开关速度:提供卓越的动态性能。
    - 符合RoHS标准:环保设计。

    4. 应用案例和使用建议


    FDD8424H广泛应用于各种逆变器和H桥电路中。在这些应用中,它能够提供高效的电能转换和控制。为了获得最佳性能,建议:
    - 使用散热片:确保良好的热管理以防止过热。
    - 注意栅极驱动信号:确保合适的驱动信号以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与其他类似规格的电子元器件具有良好的兼容性。
    - 支持和维护:ON Semiconductor提供了详细的技术文档和在线支持资源。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高负载条件下,器件过热。
    - 解决方案:增加散热片,确保良好的散热条件。

    - 问题:导通电阻变化大。
    - 解决方案:检查栅极驱动电压,确保在合适的范围内。

    7. 总结和推荐


    FDD8424H是一款性能优异、广泛应用的双N/P沟道功率MOSFET,特别适用于需要低导通电阻和快速开关速度的应用场景。它的独特设计和性能使其在市场上具备很强的竞争优势。鉴于其高性能和适用性,我们强烈推荐使用此产品。
    注:由于系统集成的原因,部分Fairchild订单号可能需要改变以符合ON Semiconductor的系统要求。请访问ON Semiconductor官方网站获取最新的产品信息和更新后的订单号。

FDD8424H参数

参数
栅极电荷 20nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1nF@20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 2N+2P沟道
配置
最大功率耗散 3.1W
通道数量 2
Id-连续漏极电流 9A,6.5A
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 9A,10V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 TO-252-4L
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDD8424H厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDD8424H数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDD8424H FDD8424H数据手册

FDD8424H封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 6.732
100+ ¥ 5.621
1250+ ¥ 5.104
2500+ ¥ 4.741
37500+ ¥ 4.708
库存: 871
起订量: 1 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 6.73
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336