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FDP120N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 170W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 86nC@ 10 V 1个N沟道 100V 12mΩ@ 74A,10V 74A 5.605nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: UNP-FDP120N10
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDP120N10

FDP120N10概述

    FDP120N10 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDP120N10 是一款由 onsemi 公司生产的 N-Channel MOSFET(场效应晶体管),采用先进的 POWERTRENCH 制程工艺。这款 MOSFET 主要用于电源转换和控制应用,具有极低的导通电阻和高开关速度。适用于多种工业和消费电子设备,例如 ATX/服务器/电信电源系统、电池保护电路、电机驱动和不间断电源等。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 \( V{DSS} \): 100 V
    - 最大连续漏极电流 \( I{D} \): 74 A (25°C), 52 A (100°C)
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 296 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 198 mJ
    - 瞬态最大功率耗散 \( PD \): 170 W (25°C)
    - 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
    - 电气特性
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.5 V 至 4.5 V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 9.7 mΩ (典型值,\( V{GS} = 10 V \),\( I{D} = 74 A \))
    - 输出电容 \( C{OSS} \): 405 pF 至 540 pF
    - 总栅极电荷 \( Q{g(tot)} \): 66 nC 至 86 nC
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 27 ns 至 64 ns

    3. 产品特点和优势


    FDP120N10 的主要特点包括:
    - 极低的导通电阻 \( R{DS(on)} \),典型值为 9.7 mΩ
    - 快速开关速度,降低功耗和热耗散
    - 低栅极电荷,减少驱动功耗
    - 高电流处理能力,适用于高负载应用
    - 符合 RoHS 和无卤素标准,环保友好

    4. 应用案例和使用建议


    FDP120N10 广泛应用于多种场合,如:
    - 同步整流:在 ATX/服务器/电信电源系统中,用于提高效率和减少发热。
    - 电池保护:用于电池充电和放电过程中的过压和过流保护。
    - 电机驱动:提供高效的电力转换和驱动控制。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,注意散热管理以避免因过热导致的失效。
    - 选用适当的栅极电阻 \( RG \),以确保良好的开关特性和降低栅极噪声。
    - 在高温环境下使用时,注意减小连续电流,以保持设备的安全工作条件。

    5. 兼容性和支持


    FDP120N10 采用 TO-220 封装,可与其他标准 TO-220 封装的元器件互换。onsemi 提供全面的技术支持和应用指南,帮助客户进行设计和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 设备启动后立即过热。
    - 解决方案: 检查散热设计,增加散热片或外部冷却装置。

    - 问题: MOSFET 开关损耗较高。
    - 解决方案: 使用较低栅极电阻 \( RG \),并确保正确的栅极驱动信号。

    - 问题: 开关过程中出现异常噪声。
    - 解决方案: 添加旁路电容以滤除噪声,并检查电路布线,减少杂散电感。

    7. 总结和推荐


    FDP120N10 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,适用于多种高压和高电流应用。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效电力转换系统的理想选择。尽管需要考虑散热和驱动电路设计,但在正确应用的情况下,FDP120N10 能够显著提高系统的效率和可靠性。因此,强烈推荐使用 FDP120N10 在高功率转换应用中。

FDP120N10参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 74A
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.605nF@25V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 74A,10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 86nC@ 10 V
最大功率耗散 170W(Tc)
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FDP120N10厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDP120N10数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDP120N10 FDP120N10数据手册

FDP120N10封装设计

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