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NTTFS4C25NTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 690mW(Ta),20.2W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 10.3nC@ 10 V 1个N沟道 30V 17mΩ@ 10A,10V 5A,27A 500pF@15V SO-8,TO-220-3,TSSOP-24,WDFN-8 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: CY-NTTFS4C25NTAG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTTFS4C25NTAG

NTTFS4C25NTAG概述

    NTTFS4C25N MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTTFS4C25N 是一款高性能的单片 N 沟道功率 MOSFET,适用于多种电子应用场合。该器件具有低导通电阻、低栅极电荷、低寄生电容等优点,广泛应用于 DC-DC 转换器、电源负载开关以及笔记本电脑电池管理等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在稳态条件下(25°C): 7.7 A
    - 在 85°C 条件下: 5.8 A
    - 最大耗散功率 (PD):
    - 在稳态条件下(25°C): 1.63 W
    - 在脉冲条件下(≤10 秒内): 4.1 W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 13 mJ
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 30 V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS): 10 nA(TJ = 125°C)
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±100 nA
    - 栅阈值电压 (VGS(TH)): 1.3 V 至 2.2 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V 时:13 mΩ 至 17 mΩ
    - 在 VGS = 4.5 V 时:21 mΩ 至 26.5 mΩ
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)):
    - 在 VGS = 4.5 V 时:5.1 nC
    - 在 VGS = 10 V 时:10.3 nC

    3. 产品特点和优势


    NTTFS4C25N 具有以下显著特点:
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 有效减少传导损耗。
    - 低寄生电容: 降低驱动损耗,提高整体效率。
    - 优化的栅极电荷: 减少开关损耗,提升开关速度。
    - 无铅、无卤素和无BFR: 环保设计符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    NTTFS4C25N 主要应用于:
    - DC-DC 转换器: 用于转换不同电压等级,要求高效率和低功耗的应用。
    - 电源负载开关: 需要快速响应和高效切换的场合。
    - 笔记本电脑电池管理: 要求低能耗和高可靠性的应用。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需考虑散热设计,以确保器件正常工作。
    - 在开关频率较高的应用中,应关注栅极电荷的影响,优化电路布局。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: NTTFS4C25N 可以方便地与现有电子设备集成,但需要确保电路板和焊盘设计符合器件规格。
    - 支持: 制造商提供详尽的技术文档和应用指南,帮助用户进行设计和调试。此外,官方网站还提供了在线技术支持和服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 器件在高温下表现不稳定。
    - 解决方案: 加强散热措施,如使用散热片或改进 PCB 设计,确保器件工作温度在推荐范围内。

    - 问题2: 开关过程中的振铃现象严重。
    - 解决方案: 使用适当的栅极电阻来控制开关速率,减少振铃效应。

    7. 总结和推荐


    NTTFS4C25N 是一款性能卓越的 MOSFET,具备出色的电气特性和可靠性。其广泛应用和强大的技术支持使其成为现代电子系统中不可或缺的选择。强烈推荐此产品用于各种高效率和高可靠性要求的应用场景。
    本文档摘自 Semiconductors Components Industries, LLC 的技术手册,完整的技术规范可参见官方网站。

NTTFS4C25NTAG参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 10A,10V
最大功率耗散 690mW(Ta),20.2W(Tc)
Id-连续漏极电流 5A,27A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 500pF@15V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 10.3nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 SO-8,TO-220-3,TSSOP-24,WDFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NTTFS4C25NTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTTFS4C25NTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTTFS4C25NTAG NTTFS4C25NTAG数据手册

NTTFS4C25NTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.1614 ¥ 1.3894
1000+ $ 0.1569 ¥ 1.3257
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