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FCH20N60

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 208W(Tc) 30V 5V@ 250µA 98nC@ 10V 1个N沟道 600V 190mΩ@ 10A,10V 20A 3.08nF@25V TO-247-3 通孔安装 15.87mm*4.82mm*20.82mm
供应商型号: CY-FCH20N60
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCH20N60

FCH20N60概述


    产品简介


    产品类型:600V N-通道功率场效应晶体管(MOSFET)
    主要功能:FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60F109 是 Fairchild Semiconductor 公司推出的 SuperFETTM 系列产品,采用了先进的电荷平衡机制,提供出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。
    应用领域:这些器件特别适合于 AC/DC 功率转换应用中的开关模式操作,适用于系统的小型化和提高效率。典型应用包括电源适配器、服务器电源、工业控制设备和电动汽车充电系统等。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 栅源电压 (VGSS) | ±30 V |
    | 漏源击穿电压 (VDSS) | 650 V @ TJ = 150°C |
    | 静态漏源导通电阻 (RDS(on)) | 0.15 Ω (typ.) |
    | 栅极电荷 (Qg) | 55 nC (typ.) |
    | 输出电容 (Coss) | 110 pF (typ.) |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 690 mJ |
    | 结温范围 (TJ, TSTG) | -55°C 至 +150°C |
    | 最大功耗 (PD) | 208 W (TC = 25°C) |

    产品特点和优势


    - 高效能:SuperFETTM 系列 MOSFET 在高温度下具有出色的性能,提供 650V 的漏源击穿电压,且漏源导通电阻低至 0.15Ω。
    - 低栅极电荷:典型值仅为 55nC,这使得它非常适合高速开关应用。
    - 优化输出电容:典型有效输出电容为 110pF,有利于减小开关损耗。
    - 可靠性和安全性:100% 雪崩测试通过,确保在极端工作条件下依然稳定可靠。
    - 先进的封装设计:提供 TO-247 和 TO-3PN 封装选项,适用于广泛的电路板设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例:在服务器电源中的直流-直流转换器中,FCH20N60 可以实现高效稳定的功率转换。在电动车辆充电桩中,这些 MOSFET 能够承受大电流和高压,确保系统的安全性和稳定性。
    使用建议:
    1. 热管理:由于 MOSFET 在高功率运行时会产生大量热量,建议采用适当的散热措施,如使用散热片或风扇,以保持设备温度在安全范围内。
    2. 驱动电路设计:为了实现最佳性能,应使用合适的栅极驱动器来最小化栅极电荷的影响,避免不必要的能耗。
    3. 布局规划:在 PCB 设计中,将 MOSFET 靠近散热元件,减少内部布线引起的寄生电感和电阻,从而提高系统的整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60F109 可与其他标准电子元器件和电路板兼容,适合广泛的应用。
    - 支持:Fairchild Semiconductor 提供全面的技术文档和支持服务,包括产品选型指南、应用笔记和技术论坛,以帮助用户更好地理解和应用这些产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高负载情况下,设备出现过热现象。
    解决方案:检查散热措施是否到位,如添加散热片、使用散热风扇等。另外,确保 PCB 设计中热路径的优化。

    2. 问题:开关频率过高导致栅极电荷过大。
    解决方案:考虑降低开关频率或使用更高效的栅极驱动器,以减少不必要的能量损失。
    3. 问题:在大电流应用中,MOSFET 发生过早失效。
    解决方案:确保使用适当的保护电路,如过流保护、浪涌保护等,避免超过额定电流的工作条件。

    总结和推荐


    综合评估:FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60F109 系列 MOSFET 是高性能、高可靠性功率转换应用的理想选择。它们在低导通电阻、低栅极电荷等方面表现出色,特别是在高功率密度和高效率需求的应用场景中表现尤为突出。
    推荐:强烈推荐使用 FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60F109 系列 MOSFET 产品,尤其是对于需要高可靠性和高效率的 AC/DC 功率转换应用。

FCH20N60参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
配置 独立式
最大功率耗散 208W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.08nF@25V
Id-连续漏极电流 20A
栅极电荷 98nC@ 10V
长*宽*高 15.87mm*4.82mm*20.82mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

FCH20N60厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCH20N60数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FCH20N60 FCH20N60数据手册

FCH20N60封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 2.3499 ¥ 20.0355
100+ $ 2.3076 ¥ 19.8566
300+ $ 2.2864 ¥ 19.6777
500+ $ 2.2652 ¥ 19.4988
1000+ $ 2.2017 ¥ 18.6044
5000+ $ 2.2017 ¥ 18.6044
库存: 801
起订量: 50 增量: 1
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型号 价格(含增值税)
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