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NVTFWS002N04CTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),85W(Tc) 20V 3.5V@ 90µA 34nC@ 10 V 1个N沟道 40V 2.4mΩ@ 50A,10V 27A,136A 2.25nF@25V 8WDFN 贴片安装
供应商型号: 863-NVTFWS002N04CTAG
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFWS002N04CTAG

NVTFWS002N04CTAG概述

    NVTFS002N04C MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NVTFS002N04C 是一款由 ON Semiconductor 生产的单片N沟道功率MOSFET。该产品适用于需要高效率和小尺寸的应用场景。其主要功能包括低导通电阻(RDS(on))以减少传导损耗,以及低电容特性以降低驱动器损耗。此外,它还通过了AEC-Q101认证,适合于汽车和工业应用。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏极-源极电压 (VDSS): 40V
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C时:136A
    - TC = 100°C时:77A
    - 功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C时:85W
    - TC = 100°C时:27W
    - 单脉冲漏极-源极雪崩能量 (EAS): 268mJ
    - 最大工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 +175°C
    - 铅 (Pb) 免费,符合RoHS标准
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10V, ID = 50A 时:2.0 mΩ (典型值)
    - 输入电容 (Ciss): 2250 pF
    - 输出电容 (Coss): 1230 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 41 pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)): 34 nC
    - 开关时间特性:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 11 ns
    - 上升时间 (tr): 77 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 23 ns
    - 下降时间 (tf): 7 ns

    3. 产品特点和优势


    - 小封装:采用3.3 x 3.3 mm封装,适合紧凑设计。
    - 低导通电阻:2.0 mΩ,适用于需要高效率的应用。
    - 低电容:减少驱动器损耗,提高开关速度。
    - 湿式法兰封装:NVTFWS002N04C 版本具备湿式法兰封装,适合更严格的应用环境。
    - AEC-Q101认证:适合汽车和工业应用。
    - 铅 (Pb) 免费且RoHS合规:环保设计。

    4. 应用案例和使用建议


    NVTFS002N04C 主要应用于需高效率和紧凑设计的场合,如:
    - 电动汽车:用于电机控制,高效能电池管理。
    - 电源转换器:在电源转换系统中用于提升整体效率。
    - 工业控制:在需要高可靠性的工业控制系统中,减少能量损失。
    使用建议:
    - 确保电路设计合理,避免过压或过流导致的损坏。
    - 使用合适的散热措施,尤其是在高功耗应用中。
    - 考虑使用专用驱动器以确保快速而稳定的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    NVTFS002N04C 与大多数标准驱动器兼容,可直接连接到现有电路中。ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,包括线上资源和技术支持团队,确保客户能够顺利部署和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 无法正常启动 | 检查栅极信号,确认VGS电压在合适范围内。 |
    | 发热严重 | 改善散热措施,使用更大的散热片或强制风冷。 |
    | 导通电阻变高 | 检查焊接质量和接线情况,确保连接良好。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,NVTFS002N04C 是一款性能卓越、高效节能的N沟道MOSFET。它的小型化设计和低功耗特性使其非常适合于多种应用场合。如果您的项目需要高效能且紧凑的设计,NVTFS002N04C 将是一个理想的选择。ON Semiconductor 提供详尽的技术支持和完善的文档,确保您在部署过程中无后顾之忧。我们强烈推荐此产品给需要高可靠性及高性能的客户。

NVTFWS002N04CTAG参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.4mΩ@ 50A,10V
栅极电荷 34nC@ 10 V
最大功率耗散 3.2W(Ta),85W(Tc)
Id-连续漏极电流 27A,136A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 90µA
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.25nF@25V
通用封装 8WDFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFWS002N04CTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFWS002N04CTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFWS002N04CTAG NVTFWS002N04CTAG数据手册

NVTFWS002N04CTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.8865 ¥ 24.3909
10+ $ 1.955 ¥ 16.5197
100+ $ 1.2852 ¥ 10.8599
500+ $ 1.0336 ¥ 8.7336
1000+ $ 0.959 ¥ 8.1039
1500+ $ 0.8726 ¥ 7.373
3000+ $ 0.8558 ¥ 7.2311
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