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NDD60N745U1-35G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 84W(Tc) 25V 4V@ 250µA 15nC@ 10 V 1个N沟道 600V 745mΩ@ 3.25A,10V 6.6A 440pF@50V TO-252 通孔安装
供应商型号: CY-NDD60N745U1-35G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDD60N745U1-35G

NDD60N745U1-35G概述

    # NDD60N745U1 600V N-Channel Power MOSFET 技术概述

    产品简介


    NDD60N745U1 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,专为高电压和大电流应用设计。这款器件的主要功能是作为开关元件,在直流到直流转换器、逆变器和电机驱动器等电路中扮演关键角色。NDD60N745U1 提供出色的耐压能力(高达 600V),并具有低导通电阻(典型值为 745mΩ),使其非常适合于各种高压和大电流场景。
    主要特点
    - 高耐压能力:能够承受最高达 600V 的漏源电压。
    - 低导通损耗:提供低至 745mΩ 的导通电阻,有效减少能耗。
    - 无铅环保:符合 RoHS 标准,无卤素、无溴化阻燃剂,适合绿色电子制造。
    应用领域
    - 工业控制
    - 可再生能源系统(如太阳能逆变器)
    - 电动车辆充电设备
    - 家用电器和照明控制

    技术参数


    以下是 NDD60N745U1 的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 最大漏源电压 | VDSS | 600 | V |
    | 最大连续漏极电流 | ID | 6.6 | A |
    | 最大耗散功率(稳态) | PD | 84 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 38 | mJ |
    | 栅源间漏电流 | IDSS | 1 | µA |
    | 开关门限电压 | VGS(TH) | 2~4 | V |
    | 阈值电压温度系数 | VGS(TH)/TJ | 7.6 | mV/°C |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 雪崩测试认证:100% 雪崩耐受测试确保产品在极端条件下仍能可靠运行。
    - 绿色环保材料:采用无铅封装材料,满足严格的环保标准。
    市场竞争力
    - 在高电压环境中保持卓越的稳定性和可靠性。
    - 适用于需要长时间运行和低功耗的设计。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景
    - 太阳能逆变器:用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
    - 电机驱动器:用于电动汽车和工业设备中,驱动电机以实现高效能控制。
    使用建议
    - 在高温环境下工作时,需注意散热设计以避免过热。
    - 使用合适的驱动电路来优化开关速度,减少栅极电荷损失。

    兼容性和支持


    NDD60N745U1 可与其他常见的电子模块轻松集成,并提供全面的技术文档和支持服务。ON Semiconductor 提供详尽的应用指南和技术支持,帮助客户快速完成产品开发。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温下性能下降 | 改善散热设计或降低工作负载 |
    | 开关时间不稳定 | 调整驱动电路参数 |
    | 漏电流过大 | 检查焊接质量和接线 |

    总结和推荐


    综合评估
    NDD60N745U1 是一款性能卓越、适应性强的功率 MOSFET,尤其适合需要处理高电压和大电流的复杂应用。其低导通电阻、高可靠性及环保特性使其在市场上具备很强的竞争优势。
    推荐结论
    强烈推荐此产品用于工业自动化、新能源和电动汽车领域,对于寻求高性能且绿色环保解决方案的工程师来说,NDD60N745U1 是理想的选择。

NDD60N745U1-35G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 84W(Tc)
Id-连续漏极电流 6.6A
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 440pF@50V
栅极电荷 15nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 745mΩ@ 3.25A,10V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 25V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.38mm(Max)
通用封装 TO-252
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

NDD60N745U1-35G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDD60N745U1-35G数据手册

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NDD60N745U1-35G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.606 ¥ 5.2146
300+ $ 0.6004 ¥ 5.1676
500+ $ 0.5949 ¥ 5.1206
1000+ $ 0.5782 ¥ 4.8857
5000+ $ 0.5782 ¥ 4.8857
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