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FDB2552-F085

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 150W(Tc) 20V 4V@ 250µA 51nC@ 10 V 1个N沟道 150V 36mΩ@ 16A,10V 5A,37A 2.8nF@25V TO-263AB 贴片安装 10.67mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: FL-FDB2552-F085
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDB2552-F085

FDB2552-F085概述


    产品简介


    FDB2552 N-Channel PowerTrench® MOSFET
    FDB2552 是一款高性能的N沟道PowerTrench® MOSFET,以其低导通电阻(\(r{DS(ON)}\))和高电流处理能力著称。这款MOSFET具有150V的漏源电压(\(V{DSS}\))和37A的最大连续漏极电流(\(ID\)\( \text{at } V{GS}=10V \text{ and } TC=25^{\circ}C\)\()。这些特性使其适用于多种应用领域,包括但不限于直流-直流转换器、离线不间断电源(UPS)、分布式电源架构、VRM(电压调节模块)、高压同步整流以及42V汽车负载控制。

    技术参数


    主要技术规格:
    - 漏源电压 \(V{DSS}\): 150V
    - 最大连续漏极电流 \(ID\): 37A(\(TC=25^{\circ}C, V{GS}=10V\))
    - 导通电阻 \(r{DS(ON)}\): 32mΩ(典型值,\(V{GS}=10V, ID=16A\))
    - 总栅极电荷 \(Q{g(total)}\): 39nC(典型值,\(V{GS}=10V\))
    其他关键参数:
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 390mJ
    - 功耗 \(PD\): 150W(\(TA=25^{\circ}C\)以上每升高1°C降额1W)
    - 最大工作和存储温度范围: -55°C至175°C
    - 热阻 \(R{\theta JC}\): 1.0°C/W(TO-220, TO-263封装)
    - 热阻 \(R{\theta JA}\): 62°C/W(TO-220, TO-263封装)
    - RoHS合规: 符合欧盟RoHS指令要求

    产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 低导通电阻 \(r{DS(ON)}\): 优秀的导通特性,减少了能耗,提高了效率。
    - 低米勒电荷: 减少了开关损耗,提升了高速开关性能。
    - 低反向恢复电荷 \(Q{RR}\): 改善了整流器性能,适用于高频应用。
    - 高耐压和高电流能力: 可以在高压和大电流环境中稳定运行。
    - 符合AEC-Q101标准: 适用于汽车和工业应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - DC/DC转换器: 用于电源转换,降低功耗并提高转换效率。
    - UPS系统: 在断电时提供备用电源,保证系统的持续运行。
    - 汽车负载控制: 控制车辆中的电气负载,确保安全可靠。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于功耗较大,建议使用较大的散热片或散热器,以保持MOSFET的工作温度在安全范围内。
    - 栅极驱动: 使用适当的栅极电阻和电容来优化开关时间,减少电磁干扰。
    - 电路布局: 在PCB设计时要尽量缩短MOSFET的引脚长度,减少寄生电感和电容。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品与标准的TO-220和TO-263封装兼容,可直接替换现有系统中的其他MOSFET。
    厂商支持:
    - ON Semiconductor提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决在应用中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题与解决方法:
    - 问题: 开关过程中过高的功耗导致温度过高。
    - 解决方案: 增加散热片的面积或使用外部散热器,优化散热设计。
    - 问题: 高频开关时出现电磁干扰。
    - 解决方案: 适当增加栅极电阻和电容,优化电路布局和走线设计。
    - 问题: 开关时间过长。
    - 解决方案: 选择合适的栅极电阻,确保驱动信号足够快。

    总结和推荐


    综合评估:
    FDB2552 N-Channel PowerTrench® MOSFET凭借其出色的性能和可靠性,在各种高功率应用中表现出色。低导通电阻、快速开关时间和优良的高温性能使其成为理想的电力管理解决方案。对于需要高效率、低功耗和高可靠性的系统,FDB2552是最佳选择之一。
    推荐:
    我们强烈推荐使用FDB2552 N-Channel PowerTrench® MOSFET。该产品不仅具备优异的电气特性,还通过了多项严格的质量认证,非常适合于多种高功率应用场景。

FDB2552-F085参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 150V
最大功率耗散 150W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 5A,37A
栅极电荷 51nC@ 10 V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@ 16A,10V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.8nF@25V
长*宽*高 10.67mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263AB
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDB2552-F085厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDB2552-F085数据手册

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FDB2552-F085封装设计

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