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NVMFS5C628NLWFAFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.7W(Ta),110W(Tc) 20V 2V@ 135µA 52nC@ 10 V 1个N沟道 60V 2.4mΩ@ 50A,10V 28A,150A 3.6nF@25V SO 贴片安装
供应商型号: AV-S-ONSNVMFS5C628NLW!C
供应商: Avnet
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C628NLWFAFT1G

NVMFS5C628NLWFAFT1G概述


    产品简介


    NVMFS5C628NL是一款单个N沟道增强型MOSFET功率晶体管,专为需要高效率和紧凑设计的应用而设计。该器件的最大电压等级为60V,最大连续漏极电流为150A,具有非常低的导通电阻(RDS(on)),使其成为电动车辆、通信电源和工业控制系统的理想选择。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):60V
    - 漏源漏电流(IDSS):TJ=25°C时为10μA;TJ=125°C时为250μA
    - 电流参数
    - 漏极连续电流(ID):TC=25°C时为150A;TC=100°C时为110A
    - 单脉冲漏极电流(IDM):TA=25°C,tp=10μs时为900A
    - 电阻参数
    - 导通电阻(RDS(on)):VGS=10V时为2.4mΩ;VGS=4.5V时为3.3mΩ
    - 电容参数
    - 输入电容(CISS):3600pF
    - 输出电容(COSS):1700pF
    - 反向传输电容(CRSS):28pF
    - 热阻参数
    - 结点至外壳热阻(RJC):1.3°C/W
    - 结点至环境热阻(RJA):40°C/W

    产品特点和优势


    NVMFS5C628NL具备一系列显著的优势,使其在市场上具有较高的竞争力。具体如下:
    - 小型封装:5x6mm的小尺寸有助于在电路板上实现紧凑的设计。
    - 低导通电阻:最低2.4mΩ的导通电阻使得损耗极低,尤其适合高频应用。
    - 低驱动损耗:低栅极电荷(QG)和电容特性的结合降低了驱动损耗。
    - 湿式边缘选项:对于某些需要光学检测的应用,提供了湿式边缘(Wettable Flank)选项以增强可检测性。
    - 环保特性:AEC-Q101认证并符合RoHS标准,无铅。
    - 可靠性:适用于高温和低温环境,可靠性强。

    应用案例和使用建议


    这款MOSFET广泛应用于多种领域,例如电动汽车、通信电源、工业控制系统等。在电动汽车中,它用于电池管理和动力系统,通过其高效性和低损耗提高整体能效。在通信电源中,它可用于电源转换器,提供稳定可靠的电力供应。此外,在工业控制系统中,它可以用来进行精确的电流和电压控制。
    使用建议
    - 确保正确连接源极和漏极,以避免过压损坏。
    - 在高频率应用中,注意考虑导通电阻的影响,以确保最佳效率。
    - 采用散热措施,如加装散热片,以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    NVMFS5C628NL与其同类产品及系统有良好的兼容性。对于购买后的产品,ON Semiconductor提供了全面的技术支持和售后服务。如有任何问题,可以通过官方网站或客服热线获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确保正确安装?
    - 解决方案:遵循数据手册中的装配指南,确保每个引脚正确连接到相应的电路部分。

    - 问题二:产品在长时间运行下发热严重怎么办?
    - 解决方案:增加外部散热装置,如散热片或风扇,以降低结温,延长使用寿命。
    - 问题三:怎样保证产品的稳定性?
    - 解决方案:定期检查设备状态,确认是否正常运行。若出现异常现象,及时更换或修理。

    总结和推荐


    总体而言,NVMFS5C628NL是一款性能卓越、应用广泛的N沟道MOSFET功率晶体管。其低导通电阻、小巧的外形和环保特性使它成为了许多应用的理想选择。无论是作为电动汽车的核心组件还是作为电源转换器的关键部件,其都能发挥出色的作用。因此,我们强烈推荐这一产品给需要高性能和可靠性的应用场景。

NVMFS5C628NLWFAFT1G参数

参数
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.6nF@25V
配置 独立式
最大功率耗散 3.7W(Ta),110W(Tc)
栅极电荷 52nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.4mΩ@ 50A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 28A,150A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 135µA
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NVMFS5C628NLWFAFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C628NLWFAFT1G数据手册

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NVMFS5C628NLWFAFT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1500+ $ 1.2962 ¥ 11.4717
4500+ $ 1.2847 ¥ 11.3692
库存: 1500
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